[發明專利]一種量子點材料、制備方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201611256988.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269886B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 楊一行;劉政;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 44268 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點材料，其特征在于，所述量子點材料包含N個在徑向方向上依次排布的量子點結構單元，其中N≥1；

所述量子點結構單元為徑向方向上越向外能級寬度越寬的漸變合金組分結構；且相鄰的量子點結構單元的能級寬度是連續的；

所述量子點結構單元包含2-20層的單原子層，或者所述量子點結構單元包含1-10層的晶胞層。

2.根據權利要求1所述的量子點材料，其特征在于，所述漸變合金組分結構為包含II族和VI族元素的漸變合金組分結構。

3.根據權利要求2所述的量子點材料，其特征在于，所述量子點結構單元的合金組分為Cd_xZn_1-xSe_yS_1-y，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且x和y不同時為0和不同時為1。

4.根據權利要求3所述的量子點材料，其特征在于，所述量子點結構單元中，A點的合金組分為Cd_x^AZn_1-x^ASe_y^AS_1-y^A，B點的合金組分為Cd_x^BZn_1-x^BSe_y^BS_1-y^B，其中A點相對于B點更靠近中心，且A點和B點的組成滿足：_x^A>_x^B，_y^A>_y^B。

5.根據權利要求1所述的量子點材料，其特征在于，在徑向方向上相鄰的量子點結構單元交界處的兩個單原子層形成連續合金組分結構，或者在徑向方向上相鄰的量子點結構單元交界處的兩個晶胞層之間形成連續合金組分結構。

6.根據權利要求1所述的量子點材料，其特征在于，所述量子點材料的發光峰波長范圍為400納米至700納米。

7.根據權利要求1所述的量子點材料，其特征在于，所述量子點材料的發光峰的半高峰寬為12納米至80納米。

8.一種量子點材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在預定位置處合成第一種化合物；

在第一種化合物的表面合成第二種化合物，所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分不同；

使第一種化合物和第二種化合物之間發生陽離子交換反應形成量子點材料，所述量子點材料的發光峰波長出現連續藍移，實現在預定位置處的漸變合金組分分布；

在合成所述第一種化合物時，陽離子前驅體與陰離子前驅體的摩爾比為100:1到1:50之間；在合成所述第二種化合物時，陽離子前驅體與陰離子前驅體的摩爾比為100:1到1:50之間。

9.根據權利要求8所述的量子點材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Zn的前驅體，所述Zn的前驅體為二甲基鋅、二乙基鋅、醋酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅、硫酸鋅、油酸鋅或硬脂酸鋅中的至少一種。

10.根據權利要求8所述的量子點材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Cd的前驅體，所述Cd的前驅體為二甲基鎘、二乙基鎘、醋酸鎘、乙酰丙酮鎘、碘化鎘、溴化鎘、氯化鎘、氟化鎘、碳酸鎘、硝酸鎘、氧化鎘、高氯酸鎘、磷酸鎘、硫酸鎘、油酸鎘或硬脂酸鎘中的至少一種。