[發明專利]一種局部摻雜晶體硅太陽能電池的制備方法及其制得的電池

在審

• 申請號: 201611256324.7
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106784048A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 吳堅;王栩生;蔣方丹;邢國強
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 鞏克棟,侯桂麗

1.一種局部摻雜晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在晶體硅片背面沉積鈍化層、背面開口、背面沉積摻雜漿料、背面摻雜、沉積電極漿料、燒結、背面沉積導電層漿料和導電層漿料固化，得到局部摻雜晶體硅太陽能電池；

或，在晶體硅片背面沉積鈍化層、沉積電極漿料、燒結、背面開口、背面沉積摻雜漿料、背面摻雜、背面沉積導電層漿料和導電層漿料固化，得到局部摻雜晶體硅太陽能電池；

其中，導電層漿料固化的固化溫度為100℃～400℃。

2.一種局部摻雜晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在晶體硅片背面沉積鈍化層、背面沉積摻雜漿料、背面開口的同時進行背面摻雜、沉積電極漿料、燒結、背面沉積導電層漿料和導電層漿料固化，得到局部摻雜晶體硅太陽能電池；

或，

在晶體硅片背面沉積鈍化層、沉積電極漿料、燒結、背面沉積摻雜漿料、背面開口的同時進行背面摻雜、背面沉積導電層漿料和導電層漿料固化，得到局部摻雜晶體硅太陽能電池；

其中，導電層漿料固化的固化溫度為100℃～400℃。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述背面開口的方式為激光開口或腐蝕開口；

優選地，所述腐蝕開口為溶液和/或漿料腐蝕開口；

優選地，所述背面摻雜的摻雜方法為激光誘導、熱推進或離子注入中任意一種或至少兩種的組合。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述背面開口的同時進行背面摻雜的方法為：使用激光在鈍化層上形成開口，同時進行激光摻雜。

5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述晶體硅片在背面沉積鈍化層前進行預處理；

優選地，所述預處理依次包括制絨、擴散、背刻蝕、去雜質玻璃處理和正面沉積減反射層；

優選地，所述晶體硅片為P型硅片或N型硅片；

優選地，所述正面沉積減反射層中的沉積方法為絲網印刷、化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨印刷中任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述減反射層為氮化硅減反射層；

優選地，所述背面沉積鈍化層中的沉積方法為絲網印刷、化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨印刷中任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述背面沉積鈍化層中的鈍化層為氧化鋁、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一種或至少兩種的組合。

6.根據權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述沉積摻雜漿料中的沉積方法為絲網印刷、化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨印刷中任意一種或至少兩種的組合，優選為絲網印刷；

優選地，所述摻雜漿料為與硅片摻雜同導電類型的摻雜漿料；

優選地，當所述晶體硅片為N型硅片時，沉積摻雜漿料為第五主族任一元素或至少兩種元素，優選為磷漿料；

優選地，當所述晶體硅片為P型硅片時，沉積摻雜漿料為第三主族任一元素或者至少兩種元素，優選為硼漿料。

7.根據權利要求1-6任一項所述的制備方法，其特征在于，所述沉積電極漿料包括正面沉積電極漿料和背面沉積電極漿料，

或，

所述沉積電極漿料包括背面沉積電極漿料和正面沉積電極漿料；

優選地，所述沉積電極漿料中的沉積方法為絲網印刷、化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨印刷中任意一種或至少兩種的組合，優選為絲網印刷；

優選地，所述沉積電極漿料中的電極漿料為銀漿料；

優選地，所述背面沉積導電層漿料中的沉積方法為絲網印刷、化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨印刷中任意一種或至少兩種的組合，優選為絲網印刷；

優選地，所述背面沉積導電層漿料所用的漿料為鋁漿料。