[發明專利]一種OLED結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201611256318.1
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269942B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉星<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種OLED結構，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的陽極電極層，所述陽極電極層包括P型碳納米管陣列；

形成于所述陽極電極層上的有機電致發光單元；

形成于所述有機電致發光單元上的陰極電極層，所述陰極電極層包括N型碳納米管陣列；

形成于所述陰極電極層上的鈍化層；

其中，所述P型碳納米管陣列包括若干平行排列的P型碳納米管單元；所述N型碳納米管陣列包括若干平行排列的N型碳納米管單元，且所述P型碳納米管單元與所述N型碳納米管單元的排列方向呈預設角度α，0°<α<180°，所述P型碳納米管單元為單根P型碳納米管，或為P型碳納米管束；所述N型碳納米管單元為單根N型碳納米管，或為N型碳納米管束。

2.根據權利要求1所述的OLED結構，其特征在于：所述有機電致發光單元自下而上依次包括有機空穴傳輸層、有機發光層及有機電子傳輸層，其中，所述有機空穴傳輸層與所述P型碳納米管陣列接觸，所述有機電子傳輸層與所述N型碳納米管陣列接觸。

3.根據權利要求1所述的OLED結構，其特征在于：所述基板與所述陽極電極層之間形成有一絕緣層。

4.根據權利要求3所述的OLED結構，其特征在于：所述絕緣層的材料包括氧化硅。

5.一種OLED結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一基板，在所述基板上形成一絕緣層；

S2：在所述絕緣層上形成P型碳納米管陣列；

S3：在所述P型碳納米管陣列上形成有機電致發光單元；

S4：在所述有機電致發光單元上形成N型碳納米管陣列；

S5：在所述N型碳納米管陣列上形成鈍化層；

其中，所述P型碳納米管陣列包括若干平行排列的P型碳納米管單元；所述N型碳納米管陣列包括若干平行排列的N型碳納米管單元，且所述P型碳納米管單元與所述N型碳納米管單元的排列方向呈預設角度α，0°<α<180°，所述P型碳納米管單元為單根P型碳納米管，或為P型碳納米管束；所述N型碳納米管單元為單根N型碳納米管，或為N型碳納米管束。

6.根據權利要求5所述的OLED結構的制作方法，其特征在于：于所述步驟S2中，首先在所述絕緣層上形成圖案化的碳納米管催化劑圖案，然后基于所述碳納米管催化劑圖案在所述絕緣層上形成P型碳納米管陣列。

7.根據權利要求5所述的OLED結構的制作方法，其特征在于：于所述步驟S4中，首先在所述有機電致發光單元上形成圖案化的碳納米管催化劑圖案，然后基于所述碳納米管催化劑圖案在所述有機電致發光單元上形成N型碳納米管陣列。

8.根據權利要求5所述的OLED結構的制作方法，其特征在于：所述有機電致發光單元自下而上依次包括有機空穴傳輸層、有機發光層及有機電子傳輸層。