[發明專利]一種多晶硅薄膜的質量檢測方法和系統有效
| 申請號: | 201611256206.6 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106706641B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 葉昱均 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/84 | 分類號: | G01N21/84 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 薄膜 質量 檢測 方法 系統 | ||
本發明提出了一種多晶硅薄膜的質量檢測方法,包括:向表面形成有多晶硅薄膜的基板照射光,并進行拍攝,以獲得薄膜圖像;根據薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度;按照設定的尺寸將薄膜圖像分割成多個圖像單元;獲取圖像單元中多晶硅薄膜的顯示參數,獲取對比結果,并計算最佳能量密度;根據對比結果獲取合格的圖像單元的數量;根據合格的圖像單元的數量和圖像單元的總數量判斷多晶硅薄膜是否合格,若不合格,則控制加工設備對多晶硅薄膜進行激光退火處理,若合格,則結束檢測。本發明還提供了一種多晶硅薄膜的質量檢測系統。本發明可以將檢測出的不合格產品最佳能量密度再加工得到合格產品,并同時獲得最佳能量密度,增加了產品的合格率。
技術領域
本發明涉及顯示器件檢測領域,尤其涉及一種多晶硅薄膜的質量檢測方法。
背景技術
專利CN201510408380.7公開了一種多晶硅薄膜的質量檢測方法和系統,提供了一種通過拍攝圖像來判斷多晶硅薄膜質量的方案,其流程圖如圖1所示,其存在的問題時,僅公開了檢測的方法和系統,未公開當檢測到不合格產品時,如何選擇最佳能量密度值來保證在進行再加工的退火處理時,將不合格品加工使其成為合格品。
發明內容
本發明旨在解決現有技術中存在的多晶硅薄膜質量檢測方法中若不良品超過一定比例則產品直接報廢而造成生產成本浪費的技術問題。
為解決上述技術問題,本發明提出了一種多晶硅薄膜的質量檢測方法。
根據本發明的第一個方面,提供了一種多晶硅薄膜的質量檢測方法,其包括如下步驟:
向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光,并對所述多晶硅薄膜進行拍攝,以獲得薄膜圖像;
根據所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度;
按照設定的尺寸將所述薄膜圖像分割成多個圖像單元;
獲取所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數,并將所述顯示參數與預設參數進行對比,以獲取對比結果;
根據各所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數與所述預設參數的對比結果獲取合格的所述圖像單元的數量;
根據所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數量以及所述圖像單元的總數量判斷所述多晶硅薄膜是否合格。
優選地,所述根據所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數量以及所述圖像單元的總數量判斷所述多晶硅薄膜是否合格的步驟還包括:
若不合格,對所述多晶硅薄膜進行激光退火處理;
若合格,則結束檢測。
優選地,所述根據所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度的方法為:
預先建立薄膜圖像亮度與最佳能量密度的對應關系,通過所述對應關系以及所述薄膜圖像亮度確定最佳能量密度。
優選地,將所述顯示參數與所述預設參數進行對比以獲取對比結果的步驟包括:
若所述線條寬長度分布大于或等于閾值,并且所述亮度大于或等于所述亮度值,則對比結果為合格;否則為不合格。
優選地,所述顯示參數至少包括亮度和線條寬長度分布,所述根據各所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數與所述預設參數的所述對比結果獲取合格的所述圖像單元的數量的步驟包括:
根據所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數與所述預設參數的對比結果確定所述圖像單元是否合格;
統計合格的所述圖像的數量。
優選地,所述根據薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數量和所述圖像單元的總數量判斷所述多晶硅薄膜是否合格的步驟包括:
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