[發(fā)明專(zhuān)利]具有漏斗型能級(jí)結(jié)構(gòu)的發(fā)光材料、制備方法及半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611255825.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108264901B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉政;楊一行;錢(qián)磊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/50 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/50;C09K11/88 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 漏斗 能級(jí) 結(jié)構(gòu) 發(fā)光 材料 制備 方法 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種具有漏斗型能級(jí)結(jié)構(gòu)的發(fā)光材料,其特征在于,所述發(fā)光材料由N個(gè)在徑向方向上依次排布的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元組成,其中N≥2;
所述量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的類(lèi)型包括A1和A2類(lèi)型,所述A1類(lèi)型為徑向方向上越向外能級(jí)寬度越寬的漸變合金組分結(jié)構(gòu);所述A2類(lèi)型為徑向方向上能級(jí)寬度一致的均一組分結(jié)構(gòu);
所述發(fā)光材料的內(nèi)部由至少一層A1類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元組成,所述發(fā)光材料的外部由至少一層A2類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元組成;
在徑向方向上相鄰的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元中,靠近發(fā)光材料中心的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的能級(jí)寬度不大于遠(yuǎn)離發(fā)光材料中心的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的能級(jí)寬度;且相鄰的漸變合金組分結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的能級(jí)是連續(xù)的;
所述A1類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的合金組分為Cdx0Zn1-x0Sey0S1-y0,其中0≤x0≤1,0≤y0≤1,并且x0和y0不同時(shí)為0和不同時(shí)為1;所述A1類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元中,A點(diǎn)的合金組分為Cdx0AZn1-x0ASey0AS1-y0A,B點(diǎn)的合金組分為Cdx0BZn1-x0BSey0BS1-y0B,其中A點(diǎn)相對(duì)于B點(diǎn)更靠近發(fā)光材料中心,且A點(diǎn)和B點(diǎn)的組成滿足:x0Ax0B,y0Ay0B;
所述A2類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元的合金組分組成為Cdx1Zn1-x1Sey1S1-y1,其中0≤x1≤1,0≤y1≤1,并且x1和y1不同時(shí)為0和不同時(shí)為1,且x1和y1在相應(yīng)A2類(lèi)型的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元內(nèi)為固定值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其特征在于,所述量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元包含2-20層的單原子層,或者所述量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元包含1-10層的晶胞層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光材料,其特征在于,在徑向方向上相鄰的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元交界處的兩個(gè)單原子層之間形成連續(xù)合金組分結(jié)構(gòu),或者在徑向方向上相鄰的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)單元交界處的兩個(gè)晶胞層之間形成連續(xù)合金組分結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其特征在于,所述發(fā)光材料的發(fā)光峰波長(zhǎng)范圍為400納米至700納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其特征在于,所述發(fā)光材料的發(fā)光峰的半高峰寬為12納米至80納米。
6.一種如權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料的制備方法,其特征在于,包括步驟:
在預(yù)定位置處合成第一種化合物;
在第一種化合物的表面合成第二種化合物,所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分相同或者不同;
使第一種化合物和第二種化合物體之間發(fā)生陽(yáng)離子交換反應(yīng)形成發(fā)光材料,所述發(fā)光材料的發(fā)光峰波長(zhǎng)先出現(xiàn)藍(lán)移,而后不變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光材料的制備方法,其特征在于,所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽(yáng)離子前驅(qū)體包括Zn的前驅(qū)體,所述Zn的前驅(qū)體為二甲基鋅、二乙基鋅、醋酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過(guò)氧化鋅、高氯酸鋅、硫酸鋅、油酸鋅或硬脂酸鋅中的至少一種。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





