[發明專利]一種量子點復合材料、制備方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201611255822.X
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108264900A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 錢磊;楊一行;劉政
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/56;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點復合材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在預定位置處合成第一種化合物；

在第一種化合物的表面合成第二種化合物，所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分相同或者不同；

第一種化合物和第二種化合物體之間發生陽離子交換反應形成量子點復合材料，所述量子點復合材料的發光峰波長出現藍移、紅移和不變中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現連續藍移。

3.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現交替的藍移和不變。

4.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現交替的藍移和紅移。

5.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現間斷的藍移。

6.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現間斷的紅移。

7.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長先出現藍移，而后不變。

8.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述量子點復合材料的發光峰波長出現連續紅移。

9.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Zn的前驅體，所述Zn的前驅體為二甲基鋅、二乙基鋅、醋酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅或硫酸鋅中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Cd的前驅體，所述Cd的前驅體為二甲基鎘、二乙基鎘、醋酸鎘、乙酰丙酮鎘、碘化鎘、溴化鎘、氯化鎘、氟化鎘、碳酸鎘、硝酸鎘、氧化鎘、高氯酸鎘、磷酸鎘或硫酸鎘中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陰離子前驅體包括Se的前驅體，所述Se的前驅體為Se-TOP、Se-TBP、Se-TPP、Se-ODE、Se-OA、Se-ODA、Se-TOA、Se-ODPA或Se-OLA中的至少一種。

12.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陰離子前驅體包括S的前驅體，所述S的前驅體為S-TOP、S-TBP、S-TPP、S-ODE、S-OA、S-ODA、S-TOA、S-ODPA、S-OLA或烷基硫醇中的至少一種。

13.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陰離子前驅體包括Te的前驅體，所述Te的前驅體為Te-TOP、Te-TBP、Te-TPP、Te-ODE、Te-OA、Te-ODA、Te-TOA、Te-ODPA或Te-OLA中的至少一種。

14.根據權利要求1所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，在加熱條件下使第一種化合物和第二種化合物之間發生陽離子交換反應。

15.根據權利要求14所述的量子點復合材料的制備方法，其特征在于，加熱溫度在100℃至400℃之間。