[發明專利]一種納米晶體、制備方法及半導體器件有效
| 申請號： | 201611255821.5 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN108269893B | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 劉政;楊一行;錢磊 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 晶體 制備 方法 半導體器件 | ||
1.一種納米晶體，其特征在于，所述納米晶體包含S個位于納米晶體中心的中心結構單元和N個位于納米晶體中心外并依次排布的環繞結構單元，其中N≥2，S≥1，所述中心結構單元與環繞結構單元均為量子點結構單元；
所述中心結構單元為徑向方向上越向外能級寬度越寬的漸變合金組分結構；
所述N個環繞結構單元由M個第一環繞結構單元以及(N-M)個第二環繞結構單元組成，所述M個第一環繞結構單元為徑向方向上能級寬度一致的均一組分結構，所述(N-M)個第二環繞結構單元為徑向方向上越向外能級寬度越寬的漸變合金組分結構，M≥1；
至少有一個第一環繞結構單元位于第二環繞結構單元與中心結構單元之間，相鄰的中心結構單元的能級是連續的，相鄰的第二環繞結構單元的能級也是連續的；所述第一環繞結構單元和第二環繞結構單元在徑向方向上交替分布。
2.根據權利要求1所述的納米晶體，其特征在于，所述中心結構單元為包含II族和VI族元素的漸變合金組分結構；所述第一環繞結構單元為包含II族和VI族元素的均一合金組分結構；且所述第二環繞結構單元為包含II族和VI族元素的漸變合金組分結構。
3.根據權利要求2所述的納米晶體，其特征在于，所述中心結構單元的合金組分為Cdx0Zn1-x0Sey0S1-y0，其中0≤x0≤1，0≤y0≤1，并且x0和y0不同時為0和不同時為1。
4.根據權利要求2所述的納米晶體，其特征在于，所述第一環繞結構單元的合金組分為Cdx1Zn1-x1Sey1S1-y1，其中0≤x1≤1，0≤y1≤1，并且x1和y1不同時為0和不同時為1，且x1和y1在相應第一環繞結構單元內為固定值。
5.根據權利要求2所述的納米晶體，其特征在于，所述第二環繞結構單元的合金組分為Cdx2Zn1-x2Sey2S1-y2，其中0≤x2≤1，0≤y2≤1，并且x2和y2不同時為0和不同時為1。
6.根據權利要求3所述的納米晶體，其特征在于，所述中心結構單元中，A點的合金組分為Cdx0AZn1-x0ASey0AS1-y0A和，B點的合金組分為Cdx0BZn1-x0BSey0BS1-y0B，其中A點相對于B點更靠近納米晶體中心，且A點和B點的組成滿足：x0A＞x0B，y0A＞y0B。
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