[發明專利]一種平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀

有效

• 申請號: 201611255520.2
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269729B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 陳池來;李山;余健文;阮智銘;王晗;徐青;劉友江;王英先;林新華
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: H01J49/02
• 分類號: H01J49/02;H01J49/04;G01N27/62
• 代理公司: 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115
• 代理人: 鮑文娟;奚華保

1.一種平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：包括高場不對稱波形離子遷移管(1)，所述的高場不對稱波形離子遷移管(1)內設有離子源(2)、第一分離區、第二分離區、偏置電極(3)及弱電流檢測電極(4)，所述的第一分離區由第一離子分離電極(5)及第二離子分離電極(6)構成，且第一離子分離電極(5)與預分離電壓源(7)相連，第二離子分離電極(6)與直流電壓源(8)相連，所述的第二分離區由第三離子分離電極(9)及第四離子分離電極(10)構成，且第三離子分離電極(9)與分離電壓源(11)相連，第四離子分離電極(10)與直流掃描電壓源(12)相連，所述的偏置電極(3)與偏置電壓源(13)相連，所述的弱電流檢測電極(4)與弱電流探測器(14)相連；所述的第一分離區與第二分離區、第二分離區與偏置電極(3)及弱電流檢測電極(4)之間分別設有屏蔽電極(15)，所述的屏蔽電極(15)與屏蔽電極系統(16)相連；所述的第一離子分離電極(5)與第三離子分離電極(9)、第二離子分離電極(6)與第四離子分離電極(10)、第三離子分離電極(9)與偏置電極(3)、第四離子分離電極(10)與弱電流檢測電極(4 )之間分別設有屏蔽電極(15)。

2.根據權利要求1所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的離子源(2)為真空紫外燈，所述的離子源(2)固定在離子源基板(17)上。

3.根據權利要求2所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的離子源基板(17)采用氟化鎂透紫外光玻璃或高硼硅BF33玻璃制成。

4.根據權利要求1所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的高場不對稱波形離子遷移管(1)設有進風口(19)和出風口(20)，所述的離子源(2)位于進風口(19)的上端，所述的出風口(20)處設有氣泵。

5.根據權利要求1所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的第一離子分離電極(5)、第二離子分離電極(6)、第三離子分離電極(9)、第四離子分離電極(10)、偏置電極(3)以及弱電流檢測電極(4)分別固定在支撐梁(18)上。

6.根據權利要求5所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的支撐梁(18)由陶瓷或玻璃制成。

7.根據權利要求6所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的第一離子分離電極(5)、第二離子分離電極(6)、第三離子分離電極(9)、第四離子分離電極(10)、偏置電極(3)及弱電流檢測電極(4)采用厚膜工藝印刷銀漿于陶瓷上。

8.根據權利要求6所述的平板式結構高場不對稱波形離子遷移譜聯用儀，其特征在于：所述的第一離子分離電極(5)、第二離子分離電極(6)、第三離子分離電極(9)、第四離子分離電極(10)、偏置電極(3)及弱電流檢測電極(4)采用磁控濺射工藝濺射靶材金于玻璃上。