[發明專利]一種單晶硅片的制絨方法在審
| 申請號: | 201611255446.4 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106835288A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 姜翰欽 | 申請(專利權)人: | 德清麗晶能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B33/10 | 分類號: | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州豐禾專利事務所有限公司33214 | 代理人: | 王鵬舉 |
| 地址: | 313299 浙江省湖州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶硅 方法 | ||
1.一種單晶硅片的制絨方法,其特征在于,由以下步驟:
1)制絨添加劑的配置:依次將氟碳表面活性劑,聚乙烯吡咯烷酮,丙烯酸-馬來酸酐共聚物,丙二醇甲醚,苯甲酸鈉,對甲苯磺酸鈉溶解到水中,混合均勻;
2)制絨液的配置:將步驟1)制得的制絨添加劑加到堿溶液中,混合均勻;所述的制絨添加劑與堿溶液的質量比為0.1~3:100,所述的堿溶液為濃度為1~3%的氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液。
3)將單晶硅片置入步驟2)制得的制絨液中進行制絨,制絨溫度為80~88℃,制絨時間為600~1200s。
2.如權利要求1所述的單晶硅片的制絨方法,其特征在于,所述的氟碳表面活性劑0.01-1%,聚乙烯吡咯烷酮1-5%,丙烯酸-馬來酸酐共聚物0.1-3%,丙二醇甲醚1-5%,苯甲酸鈉0.05-0.5%,對甲苯磺酸鈉0.1-2%,余量為水,上述百分比為質量百分比。
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