[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611255416.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106960796A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪世瑋;林劍鋒;駱家駉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示內(nèi)容是有關(guān)于一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷了高速的成長(zhǎng)。IC制造中的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了好幾代的IC，且每一代都比前一代制造出更小及更復(fù)雜的電路。目前，為了更高的元件密度以及更佳的電性性能，半導(dǎo)體工業(yè)已發(fā)展到納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，且來(lái)自制造及設(shè)計(jì)的多項(xiàng)挑戰(zhàn)已將半導(dǎo)體技術(shù)引導(dǎo)至三維設(shè)計(jì)，例如鰭狀場(chǎng)效晶體管(finFETs)。典型的鰭狀場(chǎng)效晶體管是制造一層在基板上延伸的薄“鰭片”，鰭狀場(chǎng)效晶體管的通道形成在鰭片內(nèi)。此外，形成柵極以橫越鰭，因此建置一種三面柵極結(jié)構(gòu)(tri-gate structure)。在通道的三個(gè)側(cè)面上具有柵極是有益處的，可允許柵極從不同面向控制通道。盡管已有許多鰭狀場(chǎng)效晶體管以及制造鰭狀場(chǎng)效晶體管的方法被提出，但是它們并非在各方面皆令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

本揭示內(nèi)容的一態(tài)樣是提供一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，此方法包括：形成包含鍺的一特征結(jié)構(gòu)于一基板上；移除此特征結(jié)構(gòu)的一部分，使得此特征結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部部分暴露出；將暴露出的此內(nèi)部部分的一表面暴露于含氧的一環(huán)境；以及使用包含水的一液體處理暴露出的此內(nèi)部部分的此表面。

附圖說(shuō)明

由下文的詳細(xì)描述并參照附圖閱讀，能夠最適當(dāng)?shù)乩斫獗窘沂緝?nèi)容的樣態(tài)。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，多個(gè)特征結(jié)構(gòu)并未按比例繪制。實(shí)際上，為使論述明晰，可能任意地增加或縮少各種特征結(jié)構(gòu)的尺寸。

圖1繪示依據(jù)本揭示內(nèi)容的各種實(shí)施方式的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；

圖2-12繪示依據(jù)本揭示內(nèi)容的各種實(shí)施方式的制造方法中各階段的結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下揭示的內(nèi)容提供各種不同的實(shí)施方式或?qū)嵤├杂糜趯?shí)施本揭示內(nèi)容的不同特征結(jié)構(gòu)。以下敘述特定實(shí)施方式的組件及排列，以簡(jiǎn)化本揭示內(nèi)容。當(dāng)然，此等組件及排列僅為例示實(shí)施方式，并非意欲限制在此揭示的內(nèi)容。例如，在下文的描述中，第一特征結(jié)構(gòu)形成于第二特征結(jié)構(gòu)上方或之上可以包含其中第一特征及第二特征以直接接觸方式形成的實(shí)施方式，且亦可包含其中在第一特征及第二特征之間形成額外特征，而使得第一特征及第二特征沒(méi)有直接接觸的實(shí)施方式。此外，本揭示內(nèi)容在各個(gè)實(shí)施例中使用重復(fù)的元件符號(hào)及/或字母，重復(fù)的用意僅是為了簡(jiǎn)單明了，而非設(shè)定所論述的各種實(shí)施方式及/或構(gòu)造之間的關(guān)系。

半導(dǎo)體工業(yè)持續(xù)地縮減集成電路內(nèi)元件的尺寸。數(shù)種先進(jìn)的科技已被研發(fā)用于實(shí)現(xiàn)具有更小特征尺寸的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。研究與發(fā)展探索了新的材料及構(gòu)造以求更佳的裝置性能，包括更高的載子遷移率以及特征結(jié)構(gòu)之間更好的界面品質(zhì)。然而，含有鍺成分的半導(dǎo)體特征結(jié)構(gòu)，并非在各方面皆令人滿意。例如，含有鍺的半導(dǎo)體特征結(jié)構(gòu)的表面還有一些制程上的問(wèn)題。

本揭示內(nèi)容大致上是關(guān)于一種形成含有鍺的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。根據(jù)本揭示內(nèi)容的各種實(shí)施方式，在此揭示的方法能有效地處理含有鍺成分的半導(dǎo)體特征結(jié)構(gòu)的表面。再者，此方法提供了高的生產(chǎn)效能(throughout)、經(jīng)濟(jì)的操作、無(wú)毒特性、節(jié)省熱積存(thermal budget)、以及無(wú)損于其他特征結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管在此可能使用第一，第二等用語(yǔ)來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)被此類用語(yǔ)所限制。此類用語(yǔ)僅僅被用于區(qū)分不同元件。例如，在不脫離實(shí)施方式范圍的情況下，第一元件可能被稱為第二元件，類似地，第二元件也可能被稱為第一元件。如本文中所使用的，用語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何以及所有組合。

此外，在本文可能使用一些諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下方(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空間相對(duì)用語(yǔ)，以便描述附圖中一個(gè)元件或特征結(jié)構(gòu)與其他元件或特征結(jié)構(gòu)的關(guān)系。該等空間相對(duì)用語(yǔ)旨在包含附圖描述的方向以及使用或操作中的裝置的不同配向。此裝置亦可被轉(zhuǎn)向(旋轉(zhuǎn)90度或其他方向)，且本文使用的空間相對(duì)敘述皆應(yīng)依此類推地作解釋。

應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，其可直接連接或連結(jié)到另一元件，或者存有中間元件。相反地，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接接合”到另一元件時(shí)，則不存在中間元件。