[發明專利]一種有機發光顯示面板及裝置在審
| 申請號: | 201611255356.5 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106783932A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 王湘成;濱田;牛晶華;何為;程爽 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光 顯示 面板 裝置 | ||
1.一種有機發光顯示面板,其特征在于,包括:
層疊設置的第一電極和第二電極;
所述第一電極與所述第二電極之間包括至少兩個發光層,相鄰兩個所述發光層之間設置有第一輔助功能層和第二輔助功能層;
所述第一輔助功能層靠近所述第一電極,所述第二輔助功能層靠近所述第二電極,所述第一輔助功能層包括電子傳輸型主體材料,所述第二輔助功能層包括空穴傳輸型主體材料;
所述第一輔助功能層包括N型摻雜材料;和/或,所述第二輔助功能層包括P型摻雜材料。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述N型摻雜材料包括堿金屬、堿土金屬和稀土金屬中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述N型摻雜材料包括鐿。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述第一輔助功能層中的所述N型摻雜材料的質量百分比大于等于5%,小于等于50%。
5.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述第一輔助功能層的厚度大于等于10nm,小于等于60nm。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述P型摻雜材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌或氧化鉬中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述第二輔助功能層中的所述P型摻雜材料的質量百分比大于等于1%,小于等于10%。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述第二輔助功能層的厚度大于或等于20nm,小于等于100nm。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,
所述發光層包括至少一種主體材料和至少一種客體摻雜物。
10.根據權利要求9所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層中所述主體材料包括中的至少一種。
11.根據權利要求9所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層中所述客體摻雜物為磷光材料或熒光材料。
12.根據權利要求11所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層中所述客體摻雜物為磷光材料;
所述磷光材料包括三(2-苯基吡啶)銥(III)、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥或雙(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)合銥中的至少一種。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層的厚度大于或等于20nm,小于等于40nm。
14.根據權利要求11所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層中所述客體摻雜物為熒光材料;
所述熒光材料包括中的至少一種。
15.根據權利要求14所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述發光層的厚度大于或等于15nm,小于等于40nm。
16.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板,其特征在于,所述有機發光顯示面板還包括第三輔助功能層和/或第四輔助功能層;
所述第三輔助功能層位于所述第一電極和最靠近所述第一電極的所述發光層之間,所述第三輔助功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一種;
所述第四輔助功能層位于所述第二電極和最靠近所述第二電極的所述發光層之間,所述第四輔助功能層包括電極注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的至少一種。
17.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-16任一項所述的有機發光顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





