[發明專利]一種荷電鑲嵌膜的制備方法

有效

• 申請號: 201611255013.9
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106582304B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 潘杰峰;譚瑞卿;丁金成;沈江南
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00;B01D69/02;B01D71/52;B01D71/28;B01D71/68
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 黃美娟;李世玉

1.一種荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于所述方法為：(1)將溴化聚苯醚用1-甲基-2-吡咯烷酮配成質量濃度15-30％的溴化聚苯醚溶液，室溫靜置24h后于玻璃板上刮膜，然后迅速將膜連同玻璃板一起放入去離子水中靜置成膜，取出膜烘干，獲得溴化聚苯醚多孔膜；

(2)將步驟(1)溴化聚苯醚多孔膜浸泡在二胺類化合物水溶液中，室溫浸泡進行交聯，取出，烘干，獲得交聯后的多孔膜；

(3)將步驟(2)交聯后的多孔膜置于陰離子荷電聚合物溶液中，超聲脫泡后，取出多孔膜，干燥，獲得荷電鑲嵌膜；所述陰離子荷電聚合物溶液是將陰離子荷電聚合物用二甲基甲酰胺溶解配制成質量濃度5-30％的溶液，所述陰離子荷電聚合物為磺化聚苯醚、磺化聚苯乙烯或磺化聚醚砜中的一種。

2.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(1)所述溴化聚苯醚溴化度在25％和70％之間。

3.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(1)所述刮膜厚度為200-600μm。

4.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(1)所述成膜條件為：每隔2小時換水一次，12小時后取出膜。

5.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(2)所述二胺類化合物為乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺或己二胺。

6.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(2)所述二胺類化合物水溶液濃度為1-3mol/L。

7.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(2)所述交聯是在室溫浸泡6h進行交聯。

8.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(3)所述陰離子荷電聚合物溶液質量濃度15％。

9.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(3)所述干燥方法為：取出多孔膜，將多孔膜夾于2塊玻璃中間，且玻璃和膜之間放置無紡布，真空烘干，取下膜，獲得荷電鑲嵌膜。

10.如權利要求1所述荷電鑲嵌膜的制備方法，其特征在于步驟(3)按如下方法進行：以交聯后的多孔膜為濾膜放入布氏漏斗中，底部墊一層濾紙，倒入陰離子荷電聚合物溶液，水泵減壓抽濾，將膜表面多余的溶液刮去，然后真空烘箱60℃烘干，獲得荷電鑲嵌膜。