[發明專利]電容耦合等離子體處理裝置與等離子體處理方法

在審

• 申請號: 201611254798.8
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269728A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 葉如彬;涂樂義;梁潔
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 潘朱慧

1.一種電容耦合等離子體處理裝置，包括：

反應腔，設置有頂壁、側壁與底壁；

上電極，位于所述反應腔內，設置在所述頂壁；

下電極，位于所述反應腔內，并與所述上電極相對設置；

射頻功率源，施加于所述下電極；

偏置功率源，施加于所述下電極；

環形件，環繞所述下電極設置，并可上下移動；所述環形件沿圓周方向分割為至少兩個部分，每一部分電連接至所述上電極。

2.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的各部分與所述上電極通過一阻抗調節裝置電連接。

3.如權利要求2所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器或一可變電阻或一可變電容。

4.如權利要求2所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括可變電感器、可變電阻與可變電容中的任意兩種，或同時包括可變電感器、可變電阻與可變電容。

5.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括半導體或導體。

6.如權利要求5所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括硅或碳化硅或金屬。

7.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述上電極接地。

8.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件包括豎直排列的多個環，相鄰的環之間留有空隙。

9.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，上電極與下電極之間的區域為處理區域；移動至合適的位置時，所述環形件能夠從側面完全包圍或局部包圍所述處理區域。

10.一種電容耦合等離子體處理裝置，包括：

相對設置的上電極與下電極，所述上、下電極之間為處理區域；

射頻功率源；

偏置功率源，施加于所述下電極；

環形件，環繞所述下電極設置，所述環形件沿圓周方向分割為至少兩個部分，每一部分通過一阻抗調節裝置接地。

11.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器或一可變電阻或一可變電容。

12.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括可變電感器、可變電阻與可變電容中的任意兩種，或同時包括可變電感器、可變電阻與可變電容。

13.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括半導體或導體。

14.如權利要求13所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括硅或碳化硅或金屬。

15.一種等離子體處理方法，包括：

將待處理基片放入如權利要求2至4與10至14任一項所述的電容耦合等離子體處理裝置內，并調節各阻抗調節裝置，用以調節基片邊緣區域的處理速率；

通入處理氣體至所述電容耦合等離子體處理裝置，對待處理基片進行加工。