[發明專利]電容耦合等離子體處理裝置與等離子體處理方法在審
| 申請號： | 201611254369.0 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN108269727A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 葉如彬;涂樂義;梁潔 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 下電極 處理裝置 電容耦合等離子體 等離子體處理 環形件 阻抗調節裝置 射頻功率源 處理區域 基片刻蝕 偏置功率 相對設置 接地 均勻性 電極 環繞 施加 | ||
1.一種電容耦合等離子體處理裝置，包括：
反應腔，設置有頂壁、側壁與底壁；
上電極，位于所述反應腔內，設置在所述頂壁；
下電極，位于所述反應腔內，并與所述上電極相對設置；
射頻功率源，施加于所述下電極；
偏置功率源，施加于所述下電極；
環形件，環繞所述下電極設置，并可上下移動，所述環形件電連接至所述上電極。
2.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件與所述上電極通過一阻抗調節裝置電連接。
3.如權利要求2所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器或一可變電阻或一可變電容。
4.如權利要求2所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括可變電感器、可變電阻與可變電容中的任意兩種，或同時包括可變電感器、可變電阻與可變電容。
5.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括半導體或導體。
6.如權利要求5所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括硅或碳化硅或金屬。
7.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述上電極接地。
8.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件包括豎直排列的多個環，相鄰的環之間留有空隙。
9.如權利要求1所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，上電極與下電極之間的區域為處理區域；移動至合適的位置時，所述環形件能夠從側面完全包圍或局部包圍所述處理區域。
10.一種電容耦合等離子體處理裝置，包括：
相對設置的上電極與下電極，所述上、下電極之間為處理區域；
射頻功率源；
偏置功率源，施加于所述下電極；
環形件，環繞所述下電極設置，所述環形件通過一阻抗調節裝置接地。
11.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括一可變電感器或一可變電阻或一可變電容。
12.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述阻抗調節裝置包括可變電感器、可變電阻與可變電容中的任意兩種，或同時包括可變電感器、可變電阻與可變電容。
13.如權利要求10所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括半導體或導體。
14.如權利要求13所述的電容耦合等離子體處理裝置，其特征在于，所述環形件的材質包括硅或碳化硅或金屬。
15.一種等離子體處理方法，包括：
將待處理基片放入如權利要求2至4與10至14任一項所述的電容耦合等離子體處理裝置內，并調節阻抗調節裝置，用以調節基片邊緣區域的刻蝕速率；
通入處理氣體至所述電容耦合等離子體處理裝置，對待處理基片進行加工。
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