[發(fā)明專利]IGBT動態(tài)有源鉗位保護電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611254208.1
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN107046361A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 程煒濤;李洲;王海軍;葉甜春
• 申請（專利權）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02H9/04
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,劉海

1.一種IGBT動態(tài)有源鉗位保護電路，包括IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的集電極和柵極之間依次連接若干瞬態(tài)電壓抑制二極管組群、二極管D3、限流電阻R1和吸收電容C1，所述瞬態(tài)電壓抑制二極管組群包括若干瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS，從IGBT器件的集電極方向的第n個瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS兩端并聯有n個可控開關，n為正整數；所述可控開關的控制端均與用于控制所述可控開關導通狀態(tài)的開關驅動電路連接，所述開關驅動電路與信號處理控制電路連接，所述信號處理控制電路與用于檢測直流母線電壓的電壓檢測電路連接。

2.如權利要求1所述的IGBT動態(tài)有源鉗位保護電路，其特征是：所述電壓檢測電路包括高壓差分運算放大器及其調理電路，電壓檢測電路設置于IGBT器件的集電極或直流母線上。

3.如權利要求1所述的IGBT動態(tài)有源鉗位保護電路，其特征是：所述可控開關包括MOS管，MOS管的源極端、漏極端分別與瞬態(tài)電壓抑制二極管并聯連接，MOS管的柵極端與開關驅動電路的輸出端連接。

4.如權利要求1所述的IGBT動態(tài)有源鉗位保護電路，其特征是：所述吸收電容C1并聯有限流電阻R1的兩端。