[發(fā)明專利]柵極驅(qū)動(dòng)單元及其制作方法、柵極驅(qū)動(dòng)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611253204.1 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106653687B | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐向陽 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G09G3/36 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極 驅(qū)動(dòng) 單元 及其 制作方法 電路 | ||
1.一種用于制作柵極驅(qū)動(dòng)單元的方法,其特征在于,包括圖案化第二金屬層,具體包括:
在所述第二金屬層上形成光阻層;
利用半色調(diào)掩膜版對所述光阻層進(jìn)行曝光和顯影;
判斷是否執(zhí)行燒光阻步驟;
在判斷出執(zhí)行燒光阻步驟時(shí),采用燒光阻工藝去除光阻層上對應(yīng)所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域的光阻,采用蝕刻工藝蝕刻掉所述第二金屬層上未被光阻覆蓋的金屬,并灰化剩余光阻,得到第一金屬圖案;
在判斷出不執(zhí)行燒光阻步驟時(shí),采用蝕刻工藝蝕刻掉所述第二金屬層上未被光阻覆蓋的金屬,并灰化剩余光阻,得到第二金屬圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中開關(guān)元件的漏極和源極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中電容的一個(gè)極板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中開關(guān)元件的漏極和源極,以及所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中電容的一個(gè)電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述燒光阻工藝包括氧等離子體燒光阻工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述半色調(diào)掩膜版被配置為調(diào)整所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中開關(guān)元件的寬長比,和/或,調(diào)整所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中電容的極板的重疊面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,還包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上形成第一金屬層,并使所述第一金屬層包括所述柵極驅(qū)動(dòng)單元中開關(guān)元件的柵極;
在所述第一金屬層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層;
在所述半導(dǎo)體層上形成所述第二金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述第二金屬層的材料為:
銅、鋁、鉬;或者
由銅、鋁和鉬中的兩種或三種制成的合金。
9.一種采用如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的制作方法制作的柵極驅(qū)動(dòng)單元。
10.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,包括多個(gè)如權(quán)利要求9所述的柵極驅(qū)動(dòng)單元,其中每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)單元被配置成驅(qū)動(dòng)與其相對應(yīng)的掃描線。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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