[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611250201.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783931B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 華萬(wàn)鳴;何為;王湘成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 11227 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王寶筠<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種OLED顯示面板及其制作方法，該面板包括：第一基板，以及位于所述第一基板表面的多個(gè)子像素；所述子像素包括位于所述第一基板表面的多個(gè)薄膜晶體管；位于所述薄膜晶體管背離所述第一基板表面的第一電極層；位于所述薄膜晶體管與所述第一電極層之間的反向電場(chǎng)層；位于所述第一電極層背離所述第一基板表面的發(fā)光材料層；位于所述發(fā)光材料層背離所述第一基板表面的第二電極層。本發(fā)明的OLED顯示面板在薄膜晶體管關(guān)閉時(shí)，相應(yīng)的子像素所對(duì)應(yīng)的反向電場(chǎng)層所產(chǎn)生的反向電場(chǎng)，會(huì)與該子像素中殘余的正向電場(chǎng)相互作用，進(jìn)而削弱甚至抵消該子像素中殘余的正向電場(chǎng)，從而在一定程度上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中子像素偷亮的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示面板的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，OLED(Organic LightEmitting Diode，即有機(jī)發(fā)光二極管)顯示面板以其響應(yīng)速度快、色彩絢麗、輕薄方便等優(yōu)點(diǎn)成為顯示面板行業(yè)的后起之秀。

現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)一般為：基板，設(shè)置于基板上的多個(gè)薄膜晶體管，由下而上依次設(shè)置于所述薄膜晶體管背離所述基板表面的陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層、電子注入層、以及陰極層。其中，上述結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極層和發(fā)光材料層的圖案化結(jié)構(gòu)用來(lái)定義多個(gè)子像素，并通過(guò)薄膜晶體管的打開(kāi)和關(guān)閉，來(lái)用于控制與其電連接的子像素的點(diǎn)亮和熄滅。即，在薄膜晶體管打開(kāi)時(shí)，陽(yáng)極層接入電源，進(jìn)而使得電子和空穴在發(fā)光材料層中復(fù)合，即形成電子-空穴復(fù)合(Electron-Hole Capture)，進(jìn)而使發(fā)光材料層發(fā)光。薄膜晶體管關(guān)閉時(shí)，陽(yáng)極層與電源斷開(kāi)連接，電子和空穴無(wú)法復(fù)合，使得子像素?zé)o法發(fā)光。

但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，采用上述結(jié)構(gòu)制作出的OLED顯示面板在工作過(guò)程中，往往會(huì)出現(xiàn)子像素偷亮的問(wèn)題。即正常工作下，當(dāng)某個(gè)子像素被點(diǎn)亮，與其相鄰的其它子像素本應(yīng)處于全暗的狀態(tài)，但是實(shí)際情況中，往往本應(yīng)全暗的子像素還會(huì)出現(xiàn)微微發(fā)光的情況(即偷亮)，只是亮度低于被點(diǎn)亮的子像素。這種問(wèn)題往往會(huì)影響顯示面板的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種OLED顯示面板及其制作方法，在一定程度上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中子像素偷亮的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種OLED顯示面板，包括：第一基板，以及位于所述第一基板表面的多個(gè)子像素；

所述子像素包括：

位于所述第一基板表面的多個(gè)薄膜晶體管；

位于所述薄膜晶體管背離所述第一基板表面的第一電極層；

位于所述薄膜晶體管與所述第一電極層之間的反向電場(chǎng)層；

位于所述第一電極層背離所述第一基板表面的發(fā)光材料層；

位于所述發(fā)光材料層背離所述第一基板表面的第二電極層。

優(yōu)選的，在平行于所述第一電極層的平面上，所述反向電場(chǎng)層的面積小于所述第一電極層的面積。

優(yōu)選的，所述第一電極層為陽(yáng)極層，所述第二電極層為陰極層。

優(yōu)選的，所述陰極層與所述反向電場(chǎng)層之間的電勢(shì)差大于0.3V，且所述陰極層的電位高于所述反向電場(chǎng)層的電位。

優(yōu)選的，所述陰極層與所述反向電場(chǎng)層之間的電勢(shì)差大于0.5V。

優(yōu)選的，所述陰極層與所述反向電場(chǎng)層之間的電勢(shì)差大于1.5V。

優(yōu)選的，所述反向電場(chǎng)層的材料為駐極體材料或鐵電體材料。

優(yōu)選的，所述反向電場(chǎng)層的材料為駐極體材料時(shí)，所述反向電場(chǎng)層的厚度范圍小于或等于1000nm。