[發明專利]一種散熱基板及其制備方法和應用以及電子元器件

在審

• 申請號: 201611249663.2
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108257923A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 連俊蘭
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/373;H01L21/48
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 嚴政;劉依云

1.一種散熱基板，其特征在于，該散熱基板包括：

金屬-陶瓷復合板，所述金屬-陶瓷復合板為金屬層包覆陶瓷體；以及

在所述金屬層的外表面上，至少部分區域形成有與所述金屬層成為一體的金屬氧化層，和未形成所述金屬氧化層的焊接區域，用于連結銅基板和承載芯片。

2.根據權利要求1所述的基板，其中，所述金屬氧化層通過所述金屬層直接進行氧化形成。

3.根據權利要求1或2所述的基板，其中，所述陶瓷體選自SiC陶瓷體或Si陶瓷體；所述金屬層為Al金屬層、Mg金屬層或Ti金屬層；所述金屬氧化層為氧化鋁層、氧化鎂層或氧化鈦層。

4.根據權利要求1或2所述的基板，所述金屬層的厚度為20～500μm；所述金屬氧化層的厚度為5～300μm。

5.根據權利要求1或2所述的基板，其中，所述金屬氧化層與所述金屬層的結合強度按照百格法測定達到4B以上。

6.一種制備權利要求1-5中任意一項所述的散熱基板的方法，包括：將金屬-陶瓷復合板直接進行金屬氧化，其中，所述金屬-陶瓷復合板為金屬層包覆陶瓷體的復合板材；在金屬層的外表面上形成與金屬成為一體的金屬氧化層；

將所述金屬氧化層的至少部分區域進行激光刻蝕，去除所述金屬氧化層形成焊接區域。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述金屬氧化的方法包括化學氧化、陽極氧化或微弧氧化。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其中，所述激光刻蝕使用波長為1000～5000nm的紅外激光，紅外激光的發射能量為20～80kW；優選波長為1064nm。

9.根據權利要求6或7所述的方法，其中，經過所述金屬氧化形成的所述金屬氧化層的厚度為5～300μm。

10.一種權利要求1-5中任意一項所述的散熱基板在電子元器件中的應用。

11.一種電子元器件，該電子元器件包括：

散熱基板，所述散熱基板具有未形成金屬氧化層的焊接區域；以及

在所述焊接區域的表面上依次層疊地形成的第一焊層、第一銅基板、襯板、第二銅基板、第二焊層和芯片，所述芯片與所述第二銅基板通過導線連接；

所述散熱基板為權利要求1-5中任意一項所述的散熱基板。