[發(fā)明專利]離子源及其維護(hù)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611249662.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106601585B | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張進(jìn)偉;任焱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聚光科技(杭州)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J49/14 | 分類號(hào): | H01J49/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 310052 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子源 及其 維護(hù) 方法 | ||
1.一種離子源,所述離子源包括進(jìn)樣管和泵;其特征在于:所述離子源進(jìn)一步包括:
空腔,所述空腔具有樣品進(jìn)口、離子出口和氣體出口,所述進(jìn)樣管安裝在所述樣品進(jìn)口處;未被電離的中性樣品由氣體出口抽出;
推斥極,所述推斥極為底部具有適于樣品進(jìn)入的通孔的筒形電極;
吸引極,所述吸引極為底部具有適于樣品進(jìn)入的通孔、側(cè)部具有通孔的筒形電極,設(shè)置在所述推斥極的內(nèi)部;
桿狀聚焦電極,所述桿狀聚焦電極設(shè)置在所述空腔的腔體內(nèi),且處于所述吸引極和離子出口之間;
環(huán)形燈絲,所述環(huán)形燈絲設(shè)置在所述推斥極和吸引極之間的空間內(nèi),且繞在所述吸引極的外圍;電源,所述電源的輸出端連接所述推斥極、吸引極和環(huán)形燈絲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源,其特征在于:所述推斥極的側(cè)部具有通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源,其特征在于:所述進(jìn)樣管的端部穿過(guò)所述推斥極和吸引極底部的通孔并處于所述吸引極的內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源,其特征在于:所述進(jìn)樣管、所述推斥極底部的通孔、所述吸引極底部的通孔以及離子出口的中心軸線共線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源,其特征在于:所述氣體出口的中心到所述腔體的中心軸線的垂線與腔體的中心軸線的交點(diǎn)到所述離子出口的中心的距離與樣品進(jìn)口的中心到離子出口的中心的距離之比小于0.25。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源,其特征在于:所述離子源進(jìn)一步包括:
切換模塊,切換模塊用于使所述進(jìn)樣管選擇性地連通外界空氣或待測(cè)樣品。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的離子源的維護(hù)方法,所述維護(hù)方法包括以下步驟:
(A1)離子源進(jìn)入維護(hù)狀態(tài):通過(guò)加熱使所述腔體的溫度超過(guò)85度,且維護(hù)狀態(tài)時(shí)腔體的溫度T2>檢測(cè)狀態(tài)時(shí)腔體的溫度T1;
提高燈絲電流I2,燈絲電流I2≥100I1,I1為檢測(cè)狀態(tài)時(shí)所述燈絲的電流;
提高推斥極和吸引極上的電壓,以高于檢測(cè)狀態(tài)時(shí)推斥極和吸引極上的電壓;
(A2)燈絲發(fā)射的電子撞擊所述腔體內(nèi)部的附著物質(zhì),附著雜質(zhì)脫離吸附,并被抽出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的維護(hù)方法,其特征在于:所述維護(hù)方法進(jìn)一步包括以下步驟:
(A0)離子源處于檢測(cè)狀態(tài):空氣進(jìn)入所述腔體內(nèi),并被離子化,獲知空氣中參照物的信噪比;
若所述信噪比達(dá)不到要求,進(jìn)入步驟(A1)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的維護(hù)方法,其特征在于:所述維護(hù)方法進(jìn)一步包括以下步驟:
(A3)離子源處于檢測(cè)狀態(tài):空氣進(jìn)入所述腔體內(nèi),并被離子化,獲知空氣中參照物的信噪比;
(A4)判斷所述信噪比是否達(dá)到要求:
如未達(dá)到要求,進(jìn)入步驟(A1);
如達(dá)到要求,維護(hù)結(jié)束。
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