[發明專利]一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管在審
| 申請號： | 201611248826.5 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN106876464A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 段寶興;袁嵩;董自明;郭海君;楊銀堂 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體 場效應 | ||
【權利要求書】：
1.一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，包括：
半導體材料的襯底；
位于所述半導體襯底表面的基區和漂移區；
位于所述基區表面的源區；
位于漂移區表面的漏區；
其特征在于：
漏端的漂移區下方接有縱向輔助耗盡襯底層，所述縱向輔助耗盡襯底層由N型和/或P型摻雜半導體材料構成，或者采用介質材料。
2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：所述縱向輔助耗盡襯底層為一整塊的N型均勻摻雜埋層或是一整塊的P均勻型摻雜埋層。
3.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：所述縱向輔助耗盡襯底層為一整塊的N型分區摻雜埋層或是一整塊的P分區型摻雜埋層。
4.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：所述縱向輔助耗盡襯底層為N/P型柱相間均勻摻雜埋層。
5.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：所述縱向輔助耗盡襯底層為N/P型柱相間分區摻雜埋層。
6.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：縱向輔助耗盡襯底層的形狀為規則圖形或者不規則圖形。
7.根據權利要求6所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于：所述不規則圖形為階梯型或梯形。
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