[發明專利]基于介質鏡的多光譜濾波器陣列

在審

• 申請號: 201611247730.7
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107015302A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: G.J.奧肯富斯
• 申請（專利權）人: 唯亞威解決方案股份有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 葛青

1.一種光學傳感器裝置，包括：

光學傳感器組，

基底；以及

設置在所述基底上的多光譜濾波器陣列，

所述多光譜濾波器陣列包括：

設置在所述基底上的第一介質鏡，

設置在所述第一介質鏡上的間隔件，

所述間隔件包括層組，

設置在所述間隔件上的第二介質鏡；并且

其中，所述第二介質鏡與所述傳感器元件組中的兩個或更多個傳感器元件對齊。

2.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述第一介質鏡具有均勻的厚度。

3.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述間隔件完全地設置在所述第一介質鏡上。

4.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述第二介質鏡與所述傳感器元件組中的大部分對齊。

5.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述第二介質鏡覆蓋所述傳感器元件組中的所有傳感器元件。

6.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述層組包括：

間隔件層組，

所述間隔件層組中的第一層對應于與所述光學傳感器組對齊的光學通道組中的第一通道，并且與第一厚度相關聯，以及

所述間隔件層組中的第二層對應于所述光學通道組中的第二通道，并且與第二厚度相關聯，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

7.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述第一介質鏡和所述第二介質鏡包括以下中的至少一個：

氫化硅基鏡，或

二氧化硅基鏡。

8.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述間隔件包括以下材料中的至少一種：

氧化物基材料，

氮化物基材料，

鍺(Ge)基材料，或

硅(Si)基材料。

9.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述多光譜濾波器陣列中的一個或多個層是沉積層，

所述沉積層通過使用脈沖磁控濺射工藝或剝離工藝而被沉積在所述基底上。

10.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述基底是半導體基底或玻璃基的基底；以及

其中，所述光學傳感器組還包括以下元件中的至少一個：

設置在所述基底上的光電二極管陣列，

設置在所述基底上的電荷耦合裝置(CCD)傳感器陣列，或

設置在所述基底上的互補金屬氧化物半導體(CMOS)傳感器陣列。

11.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，還包括：

一個或多個濾波器層，其設置在所述多光譜濾波器陣列上以過濾引導至所述傳感器元件組的光，

所述一個或多個濾波器層包括以下中的至少一個：

帶外阻擋層組，

抗反射涂層組，或

高階抑制層組。

12.如權利要求1所述的光學傳感器裝置，其中，所述第一介質鏡或所述第二介質鏡中的至少一個是四分之一波長堆疊鏡。

13.一種光學濾波器，包括：

第一層，

所述第一層是第一介質鏡，以反射朝向所述第一層引導的一部分光，

所述第一層沉積在與光學傳感器組相關聯的基底上；

第二層組，

所述第二層組僅沉積在所述第一層上，

所述第二層組與對應于傳感器元件組的通道組相關聯，

通道組中的通道，其與一特定的厚度相關聯，所述特定的厚度與朝向所述光學傳感器組中的一特定光學傳感器引導的光的特定波長相對應；以及

第三層，

所述第三層是第二介質鏡，以反射朝向所述第三層引導的一部分光，

所述第三層沉積在與所述第二層組相關聯的所述傳感器元件組中的多個上。

14.如權利要求13所述的光學濾波器，其中，當所述光學濾波器被暴露至光源時，被朝向所述光學傳感器組引導的光的光譜范圍是約700納米到約1100納米。

15.如權利要求13所述的光學濾波器，其中，所述第二層組包括鈮鈦氧化物基材料。

16.如權利要求13所述的光學濾波器，其中，所述通道組與非均勻通道間隔相關聯。