[發(fā)明專利]低壓配電系統(tǒng)專用電源在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611247535.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107171574A | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉琦;任婧;朱俊彥;李松澤;陳程新;謝鳴;李濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 施耐德萬(wàn)高(天津)電氣設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M7/06 | 分類號(hào): | H02M7/06;H02M1/44 |
| 代理公司: | 天津才智專利商標(biāo)代理有限公司12108 | 代理人: | 劉美甜 |
| 地址: | 300384 天津市濱海新區(qū)高新技*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低壓配電 系統(tǒng) 專用 電源 | ||
1.一種低壓配電系統(tǒng)專用電源,包括整流濾波模塊、功率變換模塊、漏感吸收模塊、控制模塊和輸出及EMC模塊;所述整流濾波模塊是將交流電轉(zhuǎn)換成脈動(dòng)直流電壓,為所述功率變模塊和控制模塊供電;其特征在于:
所述功率變換模塊包括五個(gè)電阻器R7~R11、兩個(gè)N型MOSFET芯片Q1、Q2、TVS管D17~D19和功率變壓器TP1;其連接關(guān)系如下:五個(gè)電阻器R7~R11串聯(lián),一端與電源POWER I端連接,另一端與TVS管D17陰極連接,TVS管D17的陽(yáng)極與TVS管D18陰極相連接,TVS管D18的陽(yáng)極與參考點(diǎn)相連接;功率變壓器TP1的輸入線圈的輸入管腳1與電壓POWER I端連接,輸出管腳2與N型MOSFET芯片Q1的漏極相連接,N型MOSFET芯片Q1的柵極與電阻器R10、R11的中間點(diǎn)以及TVS管D19的陰極相連接;TVS管D19的陽(yáng)極與N型MOSFET芯片Q1的源極以及N型MOSFET芯片Q2的漏極相連接,N型MOSFET芯片Q2的柵極和源極分別接入所述控制模塊;所述功率變壓器TP1的反饋線圈的輸出管腳3、輸出管腳4分別連接POWE端和參考點(diǎn);其輸出線圈的輸入管腳5接入所述輸出及EMC模塊,輸出管腳6接地;
所述漏感吸收模塊連接在所述電源POWER I端和N型MOSFET芯片Q1的漏極之間,用于吸收N型MOSFET芯片Q1和N型MOSFET芯片Q2同時(shí)導(dǎo)通或斷開時(shí)所產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì),防止NMOSFET芯片Q1和NMOSFET芯片Q2被擊穿;
所述控制模塊連接整流濾波模塊和功率變換模塊,用于監(jiān)測(cè)功率變壓器TP1的輸出電壓,確定N型MOSFET芯片Q2的導(dǎo)通和斷開時(shí)間;
所述輸出模塊與所述功率變換模塊連接,利用功率變壓器TP1輸出適用電壓。
2.如權(quán)利要求1所述低壓配電系統(tǒng)專用電源,其特征在于:所述漏感吸收模塊的連接關(guān)系為:電阻器R12、R13依次串聯(lián)后,一端與電源POWER I端連接,另一端與二極管D21、D22依次串聯(lián)后再與N型MOSFET芯片Q1的漏極相連;電容器C5、C6串聯(lián)后并聯(lián)在電阻器R12、R13串聯(lián)線路的兩端;TVS管陽(yáng)極與電源POWER I端連接,陰極接在電阻器R13與二極管D21之間。
3.如權(quán)利要求1所述低壓配電系統(tǒng)專用電源,其特征在于:所述控制模塊的連接關(guān)系如下所述:電阻器R14、R15串聯(lián)連接,其中間點(diǎn)與串聯(lián)的電阻器R16、R17的中間點(diǎn)相連接,電阻器R15、R17一端共同連接在參考點(diǎn)上,電阻器R14、R16另一端共同連接在POWE端口上,此端口同時(shí)連接在功率變壓器TP1的輸出繞組的管腳3上面,POWER I端口同時(shí)與二極管D23的陽(yáng)極相連接D23的陰極與電容器C7、C8的正電源側(cè)向連接,兩個(gè)電容器的負(fù)電源側(cè)接在參考點(diǎn)上;正電源側(cè)同時(shí)與PWM芯片的VDD管腳相連接;PWM芯片的DRV管腳與電阻器R18串聯(lián)后與NMOSFET芯片Q2的柵極相連,電容器R18還并聯(lián)有二極管D24;電阻器R21、R22并聯(lián),一端連接在N型MOSFET芯片Q2的源極,另一端連接參考點(diǎn);PWM芯片的CS管腳串聯(lián)電阻R19后與N型MOSFET芯片Q2的源極相連;電阻R20與電阻R19并聯(lián);PWM芯片的VS管腳與電阻器R16、R17的中間點(diǎn)相連接;PWM芯片的HV管腳與整流濾波模塊中轉(zhuǎn)換成脈動(dòng)直流電壓部分的線路相連接;PWM芯片的GND管腳與參考點(diǎn)相連。
4.如權(quán)利要求1所述低壓配電系統(tǒng)專用電源,其特征在于:所述輸出及EMC模塊所述輸出及EMC模塊的連接關(guān)系如下:電容器C9、C10串聯(lián),一端連接電源POWER I端,另一端接GND;電阻器R23、R24串聯(lián),一端連接24V的正電源,另一端連接功率變壓器TP1的輸出線圈的輸入管腳5;電容器C11、C12串聯(lián)后并聯(lián)在電阻器R23、R24串聯(lián)線路的兩端;二極管D25的陰極與24V的正電源相連,陽(yáng)極與功率變壓器TP1的輸出線圈的輸入管腳5相連。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
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