[發明專利]低壓配電系統專用電源

在審

• 申請號: 201611247535.4
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107171574A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 劉琦;任婧;朱俊彥;李松澤;陳程新;謝鳴;李濤
• 申請（專利權）人: 施耐德萬高(天津)電氣設備有限公司
• 主分類號: H02M7/06
• 分類號: H02M7/06;H02M1/44
• 代理公司: 天津才智專利商標代理有限公司12108
• 代理人: 劉美甜

1.一種低壓配電系統專用電源，包括整流濾波模塊、功率變換模塊、漏感吸收模塊、控制模塊和輸出及EMC模塊；所述整流濾波模塊是將交流電轉換成脈動直流電壓，為所述功率變模塊和控制模塊供電；其特征在于：

所述功率變換模塊包括五個電阻器R7～R11、兩個N型MOSFET芯片Q1、Q2、TVS管D17～D19和功率變壓器TP1；其連接關系如下：五個電阻器R7～R11串聯，一端與電源POWER I端連接，另一端與TVS管D17陰極連接，TVS管D17的陽極與TVS管D18陰極相連接，TVS管D18的陽極與參考點相連接；功率變壓器TP1的輸入線圈的輸入管腳1與電壓POWER I端連接，輸出管腳2與N型MOSFET芯片Q1的漏極相連接，N型MOSFET芯片Q1的柵極與電阻器R10、R11的中間點以及TVS管D19的陰極相連接；TVS管D19的陽極與N型MOSFET芯片Q1的源極以及N型MOSFET芯片Q2的漏極相連接，N型MOSFET芯片Q2的柵極和源極分別接入所述控制模塊；所述功率變壓器TP1的反饋線圈的輸出管腳3、輸出管腳4分別連接POWE端和參考點；其輸出線圈的輸入管腳5接入所述輸出及EMC模塊，輸出管腳6接地；

所述漏感吸收模塊連接在所述電源POWER I端和N型MOSFET芯片Q1的漏極之間，用于吸收N型MOSFET芯片Q1和N型MOSFET芯片Q2同時導通或斷開時所產生的反向電動勢，防止NMOSFET芯片Q1和NMOSFET芯片Q2被擊穿；

所述控制模塊連接整流濾波模塊和功率變換模塊，用于監測功率變壓器TP1的輸出電壓，確定N型MOSFET芯片Q2的導通和斷開時間；

所述輸出模塊與所述功率變換模塊連接，利用功率變壓器TP1輸出適用電壓。

2.如權利要求1所述低壓配電系統專用電源，其特征在于：所述漏感吸收模塊的連接關系為：電阻器R12、R13依次串聯后，一端與電源POWER I端連接，另一端與二極管D21、D22依次串聯后再與N型MOSFET芯片Q1的漏極相連；電容器C5、C6串聯后并聯在電阻器R12、R13串聯線路的兩端；TVS管陽極與電源POWER I端連接，陰極接在電阻器R13與二極管D21之間。

3.如權利要求1所述低壓配電系統專用電源，其特征在于：所述控制模塊的連接關系如下所述：電阻器R14、R15串聯連接，其中間點與串聯的電阻器R16、R17的中間點相連接，電阻器R15、R17一端共同連接在參考點上，電阻器R14、R16另一端共同連接在POWE端口上，此端口同時連接在功率變壓器TP1的輸出繞組的管腳3上面，POWER I端口同時與二極管D23的陽極相連接D23的陰極與電容器C7、C8的正電源側向連接，兩個電容器的負電源側接在參考點上；正電源側同時與PWM芯片的VDD管腳相連接；PWM芯片的DRV管腳與電阻器R18串聯后與NMOSFET芯片Q2的柵極相連，電容器R18還并聯有二極管D24；電阻器R21、R22并聯，一端連接在N型MOSFET芯片Q2的源極，另一端連接參考點；PWM芯片的CS管腳串聯電阻R19后與N型MOSFET芯片Q2的源極相連；電阻R20與電阻R19并聯；PWM芯片的VS管腳與電阻器R16、R17的中間點相連接；PWM芯片的HV管腳與整流濾波模塊中轉換成脈動直流電壓部分的線路相連接；PWM芯片的GND管腳與參考點相連。

4.如權利要求1所述低壓配電系統專用電源，其特征在于：所述輸出及EMC模塊所述輸出及EMC模塊的連接關系如下：電容器C9、C10串聯，一端連接電源POWER I端，另一端接GND；電阻器R23、R24串聯，一端連接24V的正電源，另一端連接功率變壓器TP1的輸出線圈的輸入管腳5；電容器C11、C12串聯后并聯在電阻器R23、R24串聯線路的兩端；二極管D25的陰極與24V的正電源相連，陽極與功率變壓器TP1的輸出線圈的輸入管腳5相連。