[發明專利]一種電子設備、陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201611247170.5
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106773406A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 葉巖溪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1339
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基層；

至少第一色阻層、第二色阻層，并排設置于所述基層一側；

遮光層，設置于所述第一色阻層和/或所述第二色阻層的背對所述基層一側；

凸塊，背向所述基層而凸起所述第一色阻層，并設置于所述遮光層與所述第一色阻層之間，和/或背向所述基層而凸起所述第二色阻層，并設置于所述遮光層與所述第二色阻層之間，使得所述凸塊之上的所述遮光層跟隨凸起以形成間隔柱。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凸塊至少包括第一凸塊、第二凸塊；

所述第一凸塊、第二凸塊同高，且兩者之上的遮光層分別采用不同光線通過率的光罩蝕刻而成；或

所述第一凸塊、第二凸塊不同高，且兩者之上的遮光層分別采用相同光線通過率的光罩蝕刻而成。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述不同光線通過率的光罩為具有不同透光率區域的同一光罩。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板進一步包括：設置于所述遮光層與所述基層之間的平坦鈍化層，所述凸塊位于所述平坦鈍化層與所述第一色阻層和/或所述第二色阻層之間。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層沿著所述第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，同時也沿著所述第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸；或

所述遮光層僅沿著所述第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，所述陣列基板包括像素電極以及沿著所述第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸的陣列公共電極，所述陣列公共電極與所述像素電極同層設置，且電壓與對基板上的公共電極相同。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，凸起所述第一色阻層的所述凸塊與所述第二色阻層同材料形成；或

凸起所述第二色阻層的所述凸塊與所述第一色阻層同材料形成。

7.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1至6中任一項所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基層一側形成并排設置的至少第一色阻層、第二色阻層，并形成背向所述基層而凸起所述第一色阻層，和/或背向所述基層而凸起所述第二色阻層的凸塊；

在所述第一色阻層和/或所述第二色阻層的背對所述基層一側形成遮光層，使得所述凸塊之上的所述遮光層跟隨凸起以形成間隔柱。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述形成背向所述基層而凸起所述第一色阻層，和/或背向所述基層而凸起所述第二色阻層的凸塊的步驟包括：

形成背向所述基層而凸起所述第一色阻層，和背向所述基層而凸起所述第二色阻層的至少第一凸塊及第二凸塊，所述第一凸塊與第二凸塊同高或不同高；

所述在所述第一色阻層和/或所述第二色阻層的背對所述基層一側形成遮光層的步驟包括：

在所述基板設有所述第一色阻層及第二色阻層的一側形成遮光光阻層；

對于所述第一凸塊、第二凸塊同高的情況，通過光罩照射所述遮光光阻層，所述光罩分別對應所述第一凸塊、第二凸塊的區域光線通過率不同；或

對于所述第一凸塊、第二凸塊不同高的情況，通過光罩照射所述遮光光阻層，所述光罩分別對應所述第一凸塊、第二凸塊的區域光線通過率相同。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在基層一側形成并排設置的至少第一色阻層、第二色阻層，并形成背向所述基層而凸起所述第一色阻層，和/或背向所述基層而凸起所述第二色阻層的凸塊的步驟包括：

在形成所述第二色阻層的同時，留下一部分覆蓋所述第一色阻層的所述第二色阻層而獲得所述凸塊；或

在形成所述第一色阻層的同時，留下一部分覆蓋所述第二色阻層的所述第一色阻層而獲得所述凸塊。