[發明專利]一種陣列基板、顯示面板以及短路的檢測方法有效
| 申請號: | 201611247168.8 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106707570B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 安立揚 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/13 | 分類號: | G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黃瑜 |
| 地址: | 518006 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 以及 短路 檢測 方法 | ||
本發明公開了一種具有新型的像素結構的陣列基板、顯示面板以及該顯示面板的分壓電容電極短路的檢測方法。其中,所述陣列基板的所述像素結構包括依次排列的多個子像素,每一所述子像素包括主區、次區以及分壓電容;其中,任一所述子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰另一所述子像素的所述次區的下方。通過上述方式,使像素電極的短路只會發生在不同子像素的分壓電容與次區之間,從而在陣列測試中更易于檢查出缺陷像素。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,特別是涉及一種具有像素結構的陣列基板、顯示面板以及該顯示面板的分壓電容電極短路的檢測方法。
背景技術
VA(Vertical Alignment)模式賦予了TFT-LCD非常高的正面對比度,但在側面觀看時,由于VA模式液晶分子在垂直方向轉動的特點,導致VA的對比度下降十分明顯,不同視角下會出現明顯的色偏現象。大視角是VA模式液晶顯示器的一貫追求,最常見的做法就是8疇技術的低色結構,使次區像素電位低于主區的像素電位,以降低部分區域亮度的代價換取大視角技術。為了使得次區像素電位低于主區,“電荷分享”是VA類型TFT-LCD顯示面板常用的大視角改善方案。常見的采用“電荷分享”方式的像素結構中,像素開口區分為主區和次區,當充電掃描線開啟時,數據信號線向主區和次區的像素電極充電,然后充電掃描線關閉,電荷共享掃描線開啟,分壓電容與次區像素電極導通,分擔一部分次區像素電極上原本充滿的電荷,使次區像素電極的電壓降低到適當比例。
在TFT-LCD產品中,分壓電容經常采用MII電容結構,MII電容結構為:M1,G-SiNx,PA-SiNx,ITO。且在常規的MII的像素設計中,分壓電容的ITO與本身像素的Sub區ITO相鄰設置,較容易發生短路,但是由于像素電壓變化小,常規的陣列檢測(Array Test)無法檢出,從而無法及時對其進行修補,影響產品品質。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種具有像素結構的陣列基板、具有該陣列基板的顯示面板以及該顯示面板的分壓電容電極短路的檢測方法,能夠在陣列測試中很容易檢查出缺陷像素,從而能夠及時對產品進行修補,保證產品品質。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是提供一種具有像素結構的陣列基板,所述陣列基板的所述像素結構包括依次排列的多個子像素,每一所述子像素包括電連接的主區、次區以及分壓電容;其中,任一所述子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰另一所述子像素的所述次區的下方。
其中,所述子像素包括對應于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素;所述第一子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的所述第三子像素或者所述第二子像素的所述次區的下方;所述第二子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的所述第一子像素或者所述第三子像素的所述次區的下方;所述第三子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的所述第二子像素或者所述第一子像素的所述次區的下方。
其中,每一所述子像素包括對應于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素;第N個所述第一子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N個所述第二子像素的所述次區的下方;第N個所述第二子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N個所述第三子像素的所述次區的下方;第N個所述第三子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N+1個所述第一子像素的所述次區的下方;其中:N為大于或等于1的正整數。
其中,每一所述子像素包括對應于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素;第N個所述第一子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N-1個所述第三子像素的所述次區的下方;第N個所述第二子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N個所述第一子像素的所述次區的下方;第N個所述第三子像素的所述分壓電容設置于同一行的相鄰的第N個所述第二子像素的所述次區的下方;其中:N為大于3的正整數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611247168.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





