[發明專利]一種用表面負曲率提升物質本征熔點的方法

有效

• 申請號: 201611247064.7
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106637214B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 丁軼;羅俊;徐強
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: C23F1/44
• 分類號: C23F1/44;C01B32/956;C01F17/00;C01F11/24;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 張宏祥

1.一種用表面負曲率提升物質熔點的方法，具有如下步驟：

(1)取一塊具有熔點的固體材料，采用脫合金、化學氣相反應、電化學方法以及水熱法在其外表面或內表面上制備出主曲率之一為負、該曲率絕對值小于1微米的區域，且負曲率的表面積占該固體材料的總表面積的比例不低于80％；

所述脫合金方法，是通過硝酸腐蝕金銀合金脫去合金中的銀元素，獲得納米多孔金；或者是通過鹽酸腐蝕銀鋁合金脫去合金中的鋁元素，獲得納米多孔銀；所獲材料的表面曲率分布符合提升物質熔點的條件；

所述化學氣相反應方法，是將碳化硅在1000℃的高溫下，用氯氣或者比例大于2：1的氯氣-氫氣混合氣體處理碳化硅表面脫去硅元素，獲得多孔金剛石結構晶體碳，所獲材料的表面曲率分布符合提升物質本征熔點的條件；

所述電化學方法，是在氯化鈣熔鹽中直接將微球形態的氧化鈦還原，獲得納米多孔鈦，所獲材料的表面曲率分布符合提升物質本征熔點的條件；

所述水熱法，是采用納米多孔氧化鈰制備納米多孔氧化鈰納米棒，得到包含大量負曲率表面的孔型表面，所獲材料的表面曲率分布符合提升物質本征熔點的條件；

(2)將步驟(1)中得到的固體材料加熱至該固體材料的常規熔點，未熔化部分是終產物；該終產物的本征熔點高于其所屬物質的常規熔點；所述本征熔點是指具有表面負曲率形態材料的熔點，由于其超過了固體材料的常規熔點，為避免和常規熔點混淆，我們稱之為本征熔點。

2.根據權利要求1所述的一種用表面負曲率提升物質熔點的方法，其特征在于，所述步驟(1)的具有熔點的固體材料為金屬、金屬氧化物、聚合物或者高分子材料。