[發(fā)明專利]一種等離子處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611246787.5
• 申請(qǐng)日: 2016-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN108257840B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁潔;涂樂義;葉如彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 潘朱慧

1.一種等離子處理裝置，所述等離子處理裝置包括反應(yīng)腔，反應(yīng)腔是由頂蓋、側(cè)壁和底壁圍繞構(gòu)成的氣密腔體，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)上電極和一個(gè)下電極，一個(gè)射頻電源通過匹配器和一根射頻電纜連接并輸出基波射頻功率到所述下電極，使得上下電極之間產(chǎn)生電容耦合電場(chǎng)并產(chǎn)生等離子體，所述下電極上方設(shè)置有一個(gè)靜電夾盤，所述靜電夾盤用于固定待處理基片，利用所述等離子體對(duì)基片進(jìn)行處理，

其特征在于，所述反應(yīng)腔底壁下方包括一電接地的屏蔽板，所述屏蔽板圍繞所述射頻電纜，一介電材料環(huán)設(shè)置于射頻電纜與屏蔽板之間，所述介電材料環(huán)與屏蔽板之間具有環(huán)形空間，所述介電材料環(huán)可上下移動(dòng)，使所述介電材料環(huán)與屏蔽板之間的相對(duì)面積可調(diào)，所述屏蔽板包括一下端面，所述介電材料環(huán)的上端高于所述屏蔽板的下端面，且所述介電材料環(huán)的下端低于所述屏蔽板的下端面，所述屏蔽板與所述匹配器之間具有間隙，使所述介電材料環(huán)可上下移動(dòng)。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)包括一個(gè)空腔，空腔內(nèi)填充有液面高度可調(diào)的介電液。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)的介電材料的相對(duì)介電常數(shù)大于1.1。

4.如權(quán)利要求3所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)的介電材料的介電常數(shù)大于1.5。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)由特氟龍或者陶瓷材料制成。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)包括第一子介電材料環(huán)和第二子介電材料環(huán)，所述第一子介電材料環(huán)可以相對(duì)第二子介電材料環(huán)上下移動(dòng)。

7.如權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)在不同方位角上具有不同厚度，使得所述射頻電纜到不同方位角具有不同的等效電容。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述介電材料環(huán)使得射頻電源輸出的基波射頻功率流入反應(yīng)腔，同時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)產(chǎn)生的諧波射頻功率穿過所述介電材料環(huán)進(jìn)入接地的屏蔽板。