[發明專利]一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法有效
| 申請號: | 201611246278.2 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106647098B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 惠戰強 | 申請(專利權)人: | 西安郵電大學 |
| 主分類號: | G02F1/365 | 分類號: | G02F1/365 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 王新生 |
| 地址: | 710061 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波導 氮化硅 超連續譜 二氧化硅 光脈沖 脊形 二氧化硅氧化層 超短脈沖光源 交叉相位調制 非線性過程 非線性系數 高峰值功率 中紅外波段 自相位調制 表面刻蝕 混合結構 連續光譜 色散平坦 四波混頻 透鏡耦合 有效面積 中心波長 重復頻率 色散波 硅片 光場 頻移 通信 | ||
1.一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法,其特征在于,包括有如下步驟:
步驟一、通過超短脈沖光源發出超短飛秒光脈沖;
步驟二、將步驟一發出的超短飛秒光脈沖經過透鏡耦合注入氮化硅波導;
飛秒激光器發出中心波長為1.804微米,半值全寬和峰值功率分別為50飛秒和10千瓦的超短光脈沖,經過半波片和偏振分束器組成的偏振控制系統后,再經透鏡耦合注入色散平坦的脊形/溝槽混合反向氮化硅波導,形成從近紅外到中紅外波段的超連續光譜;
所述氮化硅波導的結構包括設置于硅片上的二氧化硅氧化層,所述二氧化硅氧化層刻蝕形成含有單二氧化硅脊的溝槽,并于脊形二氧化硅兩側的溝槽填充氮化硅,最后在整個結構表面再覆蓋一層氮化硅的反向結構;
所述氮化硅波導為色散平坦的反向氮化硅脊形/溝槽混合波導,其色散值經過優化配置,在±10ps/(nm·km)范圍內帶寬達610納米。
2.根據權利要求1所述的一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法,其特征在于,在步驟一中,所述超短飛秒光脈沖的重復頻率為8-12MHz,中心波長為1.4-2.2微米,半值全寬和峰值功率分別為45-55飛秒和8-12千瓦。
3.根據權利要求2所述的一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法,其特征在于,所述超短飛秒光脈沖的重復頻率為10MHz,中心波長為1.804微米,半值全寬和峰值功率分別為50飛秒和10千瓦的超短飛秒光脈沖。
4.根據權利要求1所述的一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法,其特征在于,所述溝槽高度為800-1200納米,所述二氧化硅脊寬度為50-90納米,其兩側填充氮化硅寬度分別為820-940納米和290-410納米,所述氮化硅的反向結構的厚度為15-25納米。
5.根據權利要求4所述的一種基于氮化硅波導的通信帶到中紅外超連續譜產生方法,其特征在于,所述溝槽高度為1000納米,二氧化硅脊寬70納米,其兩側氮化硅寬度各為880納米和350納米,頂層氮化硅厚度為20納米。
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