[發(fā)明專利]光學成像系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611246189.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107153256B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴建勛;唐乃元;張永明
• 申請（專利權(quán)）人: 先進光電科技股份有限公司
• 主分類號: G02B13/00
• 分類號: G02B13/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種光學成像系統(tǒng)，其特征在于，由物側(cè)至像側(cè)依序包含：

一第一透鏡，具有屈折力；

一第二透鏡，具有屈折力；

一第三透鏡，具有屈折力；

一第四透鏡，具有屈折力；

一第五透鏡，具有屈折力；

一第六透鏡，具有屈折力；

一第七透鏡，具有屈折力；以及

一成像面；

其中，至少一透鏡的材質(zhì)為玻璃以及至少三個透鏡的材質(zhì)為塑料，該光學成像系統(tǒng)于該成像面上具有一最大成像高度HOI，該第一透鏡具有負屈折力，該第四透鏡具有正屈折力，該第二透鏡、該第三透鏡、該第五透鏡至該第七透鏡中的各透鏡分別具有正屈折力或負屈折力，該第一透鏡至該第七透鏡的焦距分別為f1、f2、f3、f4、f5、f6和f7，該光學成像系統(tǒng)的焦距為f，該光學成像系統(tǒng)的入射瞳直徑為HEP，該第一透鏡物側(cè)面與光軸的交點至該成像面與光軸的交點間于光軸上的距離為HOS，該第一透鏡物側(cè)面至該第七透鏡像側(cè)面于光軸上的距離為InTL，該光學成像系統(tǒng)的最大可視角度的一半為HAF，該第一透鏡至該第七透鏡于1/2 HEP高度且平行于光軸的厚度分別為ETP1、ETP2、ETP3、ETP4、ETP5、ETP6以及ETP7，前述ETP1至ETP7的總和為SETP，該第一透鏡至該第七透鏡于光軸的厚度分別為TP1、TP2、TP3、TP4、TP5、TP6以及TP7，前述TP1至TP7的總和為STP，其滿足下列條件：1.0≤f/HEP≤10.0；0 degHAF≤150 deg以及0.5≤SETP/STP 1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，該第一透鏡物側(cè)面上于1/2 HEP高度的坐標點至該成像面間平行于光軸的水平距離為ETL，該第一透鏡物側(cè)面上于1/2 HEP高度的坐標點至該第七透鏡像側(cè)面上于1/2 HEP高度的坐標點間平行于光軸的水平距離為EIN，其滿足下列條件：0.2≤EIN/ETL 1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，該第一透鏡至該第七透鏡于1/2HEP高度且平行于光軸的厚度分別為ETP1、ETP2、ETP3、ETP4、ETP5、ETP6以及ETP7，前述ETP1至ETP6的總和為SETP，其滿足下列公式：0.3≤SETP/EIN1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，各透鏡之間均具有一空氣間隔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，該成像面為一平面或一曲面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，可見光在該成像面上的光軸、0.3HOI以及0.7HOI三處于空間頻率55 cycles/mm的調(diào)制轉(zhuǎn)換對比轉(zhuǎn)移率分別以MTFE0、MTFE3以及MTFE7表示，其滿足下列條件：MTFE0≥0.2；MTFE3≥0.01；以及MTFE7≥0.01。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，該光學成像系統(tǒng)包括一濾光元件，該濾光元件位于該第七透鏡以及該成像面之間，該第七透鏡像側(cè)面上于1/2 HEP高度的坐標點至該濾光元件間平行于光軸的距離為EIR，該第七透鏡像側(cè)面上與光軸的交點至該濾光元件間平行于光軸的距離為PIR，其滿足下列公式：0.1≤EIR/PIR≤1.1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，該第七透鏡像側(cè)面上于1/2 HEP高度的坐標點至該成像面間平行于光軸的水平距離為EBL，該第七透鏡像側(cè)面上與光軸的交點至該成像面平行于光軸的水平距離為BL，其滿足下列公式：0.1≤EBL/BL≤1.1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學成像系統(tǒng)，其特征在于，還包括一光圈，于該光軸上該光圈至該成像面于光軸上的距離為InS，該光學成像系統(tǒng)設(shè)有一影像感測元件于該成像面，其滿足下列關(guān)系式：0.1≤InS/HOS≤1.1。