[發(fā)明專利]蝕刻液、半導(dǎo)體封裝器件及半導(dǎo)體封裝器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611246164.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN106757028B
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施建根
• 申請（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/14
• 分類號(hào): C23F1/14;H01L21/3213
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種蝕刻液，用于半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：0.5-5質(zhì)量份的顆粒；

所述蝕刻液為酸性體系或堿性體系；所述蝕刻液用于蝕刻金屬銅和/或金屬鈦；

所述金屬銅的所述蝕刻液為酸性體系，其中，氯化銅占5質(zhì)量份，濃鹽酸占10質(zhì)量份，雙氧水占25質(zhì)量份，多孔粒徑為5nm的多孔氮化硅顆粒占3質(zhì)量份，溶劑水占57質(zhì)量份；或者，

所述金屬銅的所述蝕刻液為堿性體系，其中，氯化銅占15質(zhì)量份，氨水占20質(zhì)量份，粒徑為1nm的硫酸鉀顆粒占5質(zhì)量份，溶劑水占60質(zhì)量份；或者，

所述金屬鈦的所述蝕刻液為酸性體系，其中，氯化鐵占25質(zhì)量份，氫氟酸占25質(zhì)量份，粒徑為10nm的硫酸鋇顆粒占4質(zhì)量份，溶劑水占46質(zhì)量份。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于：

所述顆粒為實(shí)心結(jié)構(gòu)，所述顆粒的粒徑為1-10nm；或者，

所述顆粒為多孔結(jié)構(gòu)，所述顆粒的所述多孔結(jié)構(gòu)的孔徑為1-10nm。

3.一種半導(dǎo)體封裝器件，其特征在于，包括：金屬再布線層，所述金屬再布線層的表面通過權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的蝕刻液蝕刻處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述金屬再布線層包括銅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述金屬再布線層進(jìn)一步包括位于所述銅層下方的鈦層，所述鈦層的長度大于所述銅層的長度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其特征在于，

利用蝕刻金屬銅的蝕刻液對所述銅層至少進(jìn)行一次蝕刻，利用蝕刻金屬鈦的蝕刻液對所述鈦層至少進(jìn)行一次蝕刻；或者，

利用蝕刻金屬銅的蝕刻液和蝕刻金屬鈦的蝕刻液交替對所述銅層和所述鈦層至少各進(jìn)行一次蝕刻；

蝕刻后，所述鈦層的長度與所述銅層的長度的差值在預(yù)定范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：

基板；

焊盤，位于所述基板上；

介質(zhì)層，覆蓋所述基板，且對應(yīng)所述焊盤的位置設(shè)置有開口；

所述金屬再布線層位于所述介質(zhì)層上方，且通過所述介質(zhì)層的所述開口與所述焊盤耦接。

8.一種半導(dǎo)體封裝器件的制備方法，其特征在于，包括：

利用權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的蝕刻液蝕刻金屬再布線層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，

所述金屬再布線層包括銅層和位于所述銅層下方的鈦層；

所述利用權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的蝕刻液蝕刻金屬再布線層包括：利用蝕刻金屬銅的蝕刻液對所述銅層至少進(jìn)行一次蝕刻，利用蝕刻金屬鈦的蝕刻液對所述鈦層至少進(jìn)行一次蝕刻；或者，利用蝕刻金屬銅的蝕刻液和蝕刻金屬鈦的蝕刻液交替對所述銅層和所述鈦層至少各進(jìn)行一次蝕刻。