[發明專利]一種毫米波電感結構有效
| 申請號： | 201611245957.8 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN106783799B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 李琛;任錚;王全;郭奧 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 毫米波 電感 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種毫米波電感結構，包括片上毫米波電感及位于所述片上毫米波電感下方的屏蔽層，其特征在于，所述屏蔽層包括多個呈散點狀分布的屏蔽單元，每個所述屏蔽單元由上往下由多晶硅或金屬、接觸孔、第一半導體類型的阱區以及第一半導體類型的深阱區組成，其中，各所述屏蔽單元的深阱區相連并接地。
2.根據權利要求1所述的毫米波電感結構，其特征在于，所述多個屏蔽單元的尺寸相同。
3.根據權利要求2所述的毫米波電感結構，其特征在于，每一所述屏蔽單元的尺寸為1-5um。
4.根據權利要求1所述的毫米波電感結構，其特征在于，相鄰所述屏蔽單元之間的間隔為1-3um。
5.根據權利要求1所述的毫米波電感結構，其特征在于，所述多個屏蔽單元呈陣列規則分布。
6.根據權利要求1所述的毫米波電感結構，其特征在于，所述片上毫米波電感為不規則形狀。
7.根據權利要求1所述的毫米波電感結構，其特征在于，所述第一半導體類型為N型。
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