[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201611245730.3 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108258008B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 齊永蓮;曲連杰;貴炳強;趙合彬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示面板,該顯示基板包括:第一基板;設置于所述第一基板上的子像素單元;設置于所述第一基板上的介質膜疊層;其中,所述介質膜疊層設置為消除通過所述介質膜疊層的具有特定波長范圍內的藍光,所述介質膜疊層包括交替層疊的至少一個第一介質膜層和至少一個第二介質膜層,所述第一介質膜層的折射率大于所述第二介質膜層的折射率。通過介質膜疊層中不同折射率的膜層交替設置,對入射光進行干涉可以將具有或接近特定中心波長的藍光消除或減弱,以消除或減弱通過介質膜疊層的藍光。
技術領域
本公開的實施例涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
在顯示面板結構中,可以將陣列結構和彩膜(color filter)結構做到同一基板上,并且將彩膜結構做在陣列結構之上,這種結構可以用于較好的實現顯示面板的大尺寸化。另外,也可以采用將彩膜結構制備在顯示面板中與陣列基板相對的對置基板上。
發明內容
本公開至少一實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示面板以解決以上問題。
本公開至少一實施例提供了一種顯示基板,包括:第一基板;設置于所述第一基板上的子像素單元;設置于所述第一基板上的介質膜疊層;其中,所述介質膜疊層設置為消除通過所述介質膜疊層的具有特定波長范圍內的藍光,所述介質膜疊層包括交替層疊的至少一個第一介質膜層和至少一個第二介質膜層,所述第一介質膜層的折射率大于所述第二介質膜層的折射率。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述藍光的中心波長的范圍為400~460納米。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述介質膜疊層中各膜層的光學厚度包括為所述藍光的中心波長的四分之一。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述介質膜疊層配置為消除相對于中心波長的至少帶寬35納米以內的藍光。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述介質膜疊層中各膜層的光學厚度滿足如下公式:
2nh=(m-0.5)λm=1,2,3……
其中,nh為相應膜層的光學厚度;n為相應膜層的折射率;h為相應膜層的厚度;m為干涉級;λ為光的中心波長。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述第一介質膜層材料包括氮化硅、硫化鋅、鋁和銀中的至少一個;和/或所述第二介質膜層材料包括氧化硅和氟化鎂中的至少一個。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述子像素單元包括有機發光二極管,所述有機發光二極管發射白光或藍光。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述子像素單元包括紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍色子像素單元中的至少一個。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述有機發光二極管發射藍光,所述紅色子像素單元包括設置于所述介質膜疊層和所述有機發光二極管之間的紅色熒光膜。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述有機發光二極管發射藍光,所述綠色子像素單元包括設置于所述介質膜疊層和所述有機發光二極管之間的綠色熒光膜。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述有機發光二極管發射白光,所述紅色子像素單元包括設置于所述介質膜疊層和所述有機發光二極管之間的紅色熒光膜。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述有機發光二極管發射白光,所述綠色子像素單元包括設置于所述介質膜疊層和所述有機發光二極管之間的所述綠色熒光膜和綠色彩膜。
例如,在本公開實施例提供的顯示基板中,所述藍色子像素單元包括設置于所述介質膜疊層和所述有機發光二極管之間的所述藍色彩膜。
本公開至少一實施例提供一種顯示面板,包括上述中任一所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





