[發明專利]廣視角像素結構及陣列基板

有效

• 申請號: 201611245381.5
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106773404B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 張蒙蒙;宋喬喬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種廣視角像素結構，其特征在于，包括：垂直設置的掃描線組和數據線組，以及由所述掃描線組和所述數據線組所形成的兩個像素區，其中，所述掃描線組包括依次平行設置的第一掃描線、第二掃描線和第三掃描線，所述數據線組包括平行設置的第一數據線和第二數據線；所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述第一數據線和所述第二數據線形成第一像素區；所述第二掃描線、所述第三掃描線、所述第一數據線和所述第二數據線形成第二像素區；所述第一像素區包括第一主區和第一子區，所述第二像素區包括第二主區、第二子區和第一薄膜晶體管，所述第一子區與所述第二子區通過所述第一薄膜晶體管相連；所述第一子區包括第二薄膜晶體管和第一子區像素電極，其中，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一掃描線相連，所述第二薄膜晶體管的源極與所述第一數據線相連，所述第二薄膜晶體管的漏極分別與所述第一子區像素電極和所述第一薄膜晶體管的漏極相連；所述第二子區包括第三薄膜晶體管和第二子區像素電極，所述第三薄膜晶體管的柵極與所述第二掃描線相連，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二子區像素電極相連，所述第三薄膜晶體管的源極和所述第一薄膜晶體管的源極均與所述第二數據線相連，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第三掃描線相連；所述第一子區像素電極與所述第二子區像素電極的極性相反；當像素結構工作時，首先打開第一掃描線以對第一主區像素電極和第一子區像素電極進行充電，接著關閉第一掃描線并同時打開第二掃描線和第三掃描線，以對第二主區像素電極和第二子區像素電極進行充電，以及對第一子區像素電極和第二子區像素電極進行放電。

2.根據權利要求1所述的廣視角像素結構，其特征在于，所述第二主區包括第二主區像素電極和第四薄膜晶體管，其中，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第二掃描線相連，所述第四薄膜晶體管的漏極與所述第二主區像素電極相連，所述第四薄膜晶體管的源極與所述第二數據線相連。

3.根據權利要求1所述的廣視角像素結構，其特征在于，所述第一主區包括第一主區像素電極和第五薄膜晶體管，其中，所述第五薄膜晶體管的柵極與所述第一掃描線相連，所述第五薄膜晶體管的源極與所述第一數據線相連，所述第五薄膜晶體管的漏極與所述第一主區像素電極相連。

4.根據權利要求2所述的廣視角像素結構，其特征在于，所述第二主區像素電極與所述第二子區像素電極的極性相同。

5.根據權利要求3所述的廣視角像素結構，其特征在于，所述第一主區像素電極與所述第一子區像素電極的極性相同。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板以及根據權利要求1-5中任一項所述的廣視角像素結構，其中，所述廣視角像素結構設置在所述襯底基板上。