[發明專利]改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構及方法

有效

• 申請號: 201611245039.5
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106629573B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 康曉旭;李銘;周煒捷
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構，其特征在于，包括：在臺階側壁依次設置的且高度遞減的至少一個支撐層，使得支撐層形成的結構的頂部形成遞減緩變坡度；相鄰的支撐層中，靠近臺階側壁的一個支撐層的材料和與之相鄰的遠離臺階側壁的一個支撐層的材料的刻蝕選擇比小于1。

2.根據權利要求1所述結構，其特征在于，所述支撐層的頂部和外側面形成連續的圓弧狀。

3.根據權利要求1所述結構，其特征在于，支撐層的高度呈等差遞減；最高的支撐層的高度與最低的支撐層的高度的比為(2～4):1。

4.根據權利要求1所述結構，其特征在于，臺階的材料為Si、SiGe或VOx，支撐層具有三個，從臺階側壁向外依次為第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；所述第一支撐層的材料為SiN，所述第二支撐層的材料為SiON，所述第三支撐層的材料為SiO₂。

5.一種權利要求1～4任意一項所述的改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構的制備方法，其特征在于，包括：

步驟01：提供一襯底；襯底表面具有臺階；

步驟02：在襯底表面沉積至少兩層薄膜，并在每次沉積一層薄膜之后，對該層薄膜進行刻蝕，去除位于臺階頂部的該層薄膜，并且保留位于臺階側壁的該層薄膜，從而形成至少一個支撐層，而且，每次對薄膜的刻蝕速率遞增，從而使得支撐層形成的結構的頂部形成遞減緩變坡度。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟02中，除了第一次刻蝕之外，以后的每一次對薄膜的刻蝕都具有一個過刻蝕過程，使得每一次刻蝕之后的臺階側壁的支撐層頂部遞減。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，每一次過刻蝕時刻蝕掉的臺階側壁的薄膜的高度相同。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟02中對薄膜的刻蝕采用等離子體各向異性干法刻蝕工藝。

9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟01中，還包括：在臺階表面和側壁形成一層刻蝕阻擋層，該刻蝕阻擋層與支撐層的刻蝕比小于1；步驟02中，在最后一個支撐層形成之后還包括：去除臺階表面的刻蝕阻擋層。