[發明專利]一種基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料

在審

• 申請號: 201611243901.9
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106785475A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 文岐業;史中偉;劉浩天;陳智;文天龍;楊青慧;張懷武;涂翔宇;劉洋
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 電子科技大學專利中心51203
• 代理人: 甘茂

1.一種基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料，包括硅納米針陣列和硅襯底兩部分，其特征在于，所述硅納米針陣列由均勻分布于硅襯底上的若干個硅納米針構成，硅納米針垂直設置于硅襯底表面；所述硅納米針陣列和硅襯底為同一材料，均采用n型或p型重摻雜半導體硅、其電阻率≤0.1Ω·cm。

2.按權利要求書1所述基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料，其特征在于，所述硅納米針呈上細下粗的垂直針狀結構，硅納米針的直徑≤100nm、高度≥5μm，硅納米針的填充率為50％～80％。

3.按權利要求書1所述基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料，其特征在于，所述硅襯底的厚度為≥300μm。

4.按權利要求書1所述基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料，其特征在于，所述基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料，在0.2THz～1.2THz的頻帶內對太赫茲波的吸收率≥90％，對300nm～880nm的可見光同樣具有90％以上的吸收效率。