[發明專利]一種OLED陰極隔離柱的制備方法在審
| 申請號: | 201611243559.2 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106653816A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 張穩穩;嚴學文;董軍;高偉;李冬冬 | 申請(專利權)人: | 西安郵電大學 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司11212 | 代理人: | 王新生 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 陰極 隔離 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種OLED陰極隔離柱技術,特別是一種OLED陰極隔離柱的制備方法。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Display),有機發光顯示器件是指有機半導體材料和發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光的現象。OLED具有主動發光,無視角問題;重量輕,厚度小;高亮度,高發光效率;發光材料豐富,易實現彩色顯示;響應速度快,動態畫面質量高;使用溫度范圍廣;可實現柔軟顯示;工藝簡單,成本低;抗震能力強等一系列的優點,逐步成為最有潛力的一種顯示器件,因此它被專家稱為未來的理想顯示器,在各種領域有著廣泛的應用。
目前國內外許多公司、科研機構都投入大量人力物力進行研究。有機電致發光器件通常由第一電極(透明陽極)、沉積在第一電極上的發光介質、沉積在發光介質上的第二電極(陰極)構成。由無源OLED器件的結構決定了它的驅動方式是二維矩陣尋址。無源矩陣顯示是實現有機發光顯示的一種簡單方法。在有機發光無源矩陣顯示器件中需要實現陰極的圖案化,一般采用具有倒梯形或者T形截面的條紋結構作為隔離柱實現陰極加工過程中的圖案化。目前在硅片或其它襯底上制作金屬圖形都是先通過涂膠、曝光、顯影等光刻出圖形后再通過蒸鍍,超聲剝離等實現金屬圖形的制備。
發明內容
有鑒于此,本發明的主要目的是提供一種OLED陰極隔離柱的制備方法。
具體的方案為:
一種OLED陰極隔離柱的制備方法,包括如下步驟:
步驟1)ITO玻片清洗;
步驟2)在步驟1)上甩兩層聚酰亞胺;
步驟3)在聚酰亞胺上濺射一層450~550nm厚的二氧化硅;
步驟4)在二氧化硅上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠;
步驟5)步驟4)完后在光刻機下曝光;
步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗;
步驟7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在溫度為100~120℃的條件下進行烘烤20~40min;
步驟8)用干法刻蝕或HF濕法刻蝕二氧化硅;
步驟9)刻蝕完二氧化硅后進行聚酰亞胺膜的刻蝕。
進一步地,步驟1)中的ITO玻璃清洗方法為:
步驟①:將ITO玻璃放置650ml的按照質量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min后取出;
步驟②:準備650ml去離子水,將650ml去離子水加3~4滴白毛洗潔精,加熱至70℃;再將步驟①超聲后的ITO玻璃置入超聲10min,取出;
步驟③:準備650ml去離子水,將650ml的去離子水加熱至100℃,將步驟②處理后的ITO玻璃置入沸水煮15min;
步驟④:準備650ml去離子水,將步驟③處理后的ITO玻璃置入超聲5min;
步驟⑤:準備650ml去離子水,將步驟④處理后的ITO玻璃置入超聲5min。
進一步地,步驟2)甩兩層聚酰亞胺的方法為:
步驟①:硅片清洗,在三氯乙烷中煮沸,再在丙酮和異丙醇中煮沸;然后在氮氣流中吹干,130℃下烘烤30分鐘,脫水汽;
步驟②:涂膠,用機械旋轉法涂覆ZKPI膠,其轉數為3000~5000rpm/15-30s,將ZKPI膠均勻涂覆在硅片上
步驟③:預烘,在恒溫烘箱中以溫度為100~120℃烘烤20~40min,
步驟④:涂光刻膠、曝光、顯影,涂光刻膠后,可按正常的光刻工藝進行預烘、曝光、顯影和堅膜;
步驟⑤:ZKPI膠膜刻蝕,采用質量比為0.7~1:100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s,刻蝕完畢后立即置于質量比為0.5~1.0:100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s,然后用去離子水沖洗10min,去除殘余的刻蝕劑和中和劑,隨后烘干;
步驟⑥:去光刻膠,以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層
步驟⑦:亞胺化,采用階梯升溫法:150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min,根據實際情況,可升至300-350℃/30min,使亞胺化完全。
進一步地,步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:
步驟①:基片預處理;
步驟②:清洗,焙烘;
步驟③:涂膠,采用旋轉涂布法,
步驟④:前烘,熱板1000℃/60s
步驟⑤:曝光,采用高壓汞燈曝光;
步驟⑥:顯影;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





