[發明專利]一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法

有效

• 申請號: 201611243269.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106676299B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 曹國鑫;付寶全;王瑋東;杜剛;齊銳;孫劍;劉向宏;張平祥;馮勇
• 申請（專利權）人: 西部超導材料科技股份有限公司
• 主分類號: C22C1/03
• 分類號: C22C1/03;C22C19/05
• 代理公司: 西安弘理專利事務所61214
• 代理人: 胡燕恒

1.一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟1，按照GH4720Li合金配比，確定原料電解鎳、純鉻、電鈷、鎳鎢合金、鎳鉬合金、純鈦、純鋁、鎳硼合金、純鋯、碳的用量；所述鎳鎢合金為NiW45中間合金；

步驟2，真空感應熔煉：

將步驟1所述原料分別加入真空感應爐中進行真空感應熔煉為鑄錠；

步驟3，真空自耗熔煉：

對步驟2得到的鑄錠進行兩次真空自耗熔煉，第二次真空自耗熔煉采用低熔速控制熔煉。

2.根據權利要求1所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述步驟1中電解鎳、電鈷進行表面處理，處理完成后表面應潔凈且呈現金屬亮色，然后與鎳鎢合金、鎳鉬合金、純鈦、純鋁、純鉻在100℃下進行10h的干燥。

3.根據權利要求1所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述步驟2具體為：首先加入電解鎳、純鉻、電鈷、鎳鎢合金、鎳鉬合金和碳熔化，熔化速度小于等于1/4最大爐容量/h，然后加入純鈦、純鋁、鎳硼合金、純鋯進行精煉；精煉后控制澆注溫度澆注。

4.根據權利要求3所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述精煉溫度為1450-1550℃，精煉時間為30-90min；澆注溫度為1450-1550℃。

5.根據權利要求3所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述澆注的錠模規格為Φ260～Φ400mm。

6.根據權利要求1所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述步驟3中第一次真空自耗熔煉采用Φ340～480mm的坩堝，熔前漏氣率控制在2.0Pa/min以下，在熔煉過程中真空度控制在2.0Pa以下，熔煉電流選擇2～10kA，熔煉電壓選擇22～25V，熔速控制在4-7kg/min，熔煉后冷卻時間大于1.0小時。

7.根據權利要求1所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述步驟3中第二次真空自耗熔煉，采用Φ410～560mm的坩堝，熔前漏氣率控制在1.0Pa/min以下，在熔煉過程中真空度控制在1.0Pa以下，熔煉電流選擇2～8kA，熔煉電壓選擇21～25V，熔速控制在2-5kg/min，熔煉后冷卻時間大于1.0小時。

8.根據權利要求1所述的一種提高GH4720Li合金W元素成分均勻性的方法，其特征在于，所述步驟3中兩次真空自耗熔煉過程中充入氦氣冷卻，充氦壓力控制在200-600Pa。