[發明專利]一種在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法

有效

• 申請號: 201611243053.1
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106624371B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 袁凱;譚化兵
• 申請（專利權）人: 無錫格菲電子薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C16/56
• 分類號: C23C16/56
• 代理公司: 北京煦潤律師事務所11522
• 代理人: 艾娟

1.一種在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)將生長好石墨烯的金屬箔與基底膜貼合，形成金屬箔/石墨烯/基底膜的復合疊層結構；

2)通過刻蝕液刻蝕掉金屬箔，將石墨烯保留在基底膜上，形成石墨烯/基底膜的復合膜結構；

3)對基底膜上的石墨烯進行圖案化；

4)再將步驟3)得到的圖案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面與與所述目標器件貼合，形成基底膜/圖案化石墨烯/目標器件結構，移除基底膜，即在目標器件上形成圖案化的石墨烯。

2.根據權利要求1所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述步驟3)中，用激光照射所述步驟2)所得復合膜的正面或背面，以對基底膜上的石墨烯進行照射刻蝕。

3.根據權利要求2所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法 ，其特征在于：所述步驟3)，通過激光機以4-12W的功率，2200-3000mm/s的走速進行照射刻蝕。

4.根據權利要求1所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法 ，其特征在于：所述步驟3)中，從所述步驟2)所得復合膜的石墨烯的方向直接對石墨烯進行圖案化。

5.根據權利要求4所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法 ，其特征在于：所述圖案化為激光直寫的方法或等離子體刻蝕的方法。

6.一種在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)將生長好石墨烯的金屬箔與基底膜貼合，形成金屬箔/石墨烯/基底膜的復合疊層結構；

2)用激光從基底膜的方向透過基底膜對石墨烯表面進行圖案化刻蝕，得到金屬箔/圖案化的石墨烯/基底膜的復合疊層結構；

3)刻蝕掉金屬箔，得到圖案化的石墨烯/基底膜的結構；

4)再將步驟3)得到的圖案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面與與所述目標器件貼合，形成基底膜/圖案化石墨烯/目標器件結構，移除基底膜，即在目標器件上形成圖案化的石墨烯。

7.根據權利要求6所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述步驟2)中，通過激光機以4-12W的功率，2200-3000mm/s的走速進行照射刻蝕。

8.一種在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)先對生長好石墨烯的金屬箔上的石墨烯面直接進行圖案化處理，得到金屬箔/圖案化的石墨烯的復合結構；

2)在步驟1)得到的金屬箔/圖案化的石墨烯的石墨烯膜表面貼合基底膜，得到金屬箔/圖案化的石墨烯/基底膜的復合結構；

3)刻蝕掉金屬箔，得到圖案化的石墨烯/基底膜的復合結構；

4)再將步驟3)得到的圖案化的石墨烯/基底膜的石墨烯面與與所述目標器件貼合，形成基底膜/圖案化石墨烯/目標器件結構，移除基底膜，即在目標器件上形成圖案化的石墨烯。

9.根據權利要求8所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述圖案化處理采用激光直寫或等離子體刻蝕的方法。

10.根據權利要求1-9任一項所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述的金屬箔包含銅箔、鎳箔、釕箔、鉑箔、鈀箔或者它們的合金箔；箔厚度為10μm～100μm；所述的基底膜具有粘性的膠質層，石墨烯與膠質層的結合力小于石墨烯與目標器件的結合力；膠質層受熱的情況下與石墨烯分離，以至于可以使已圖案化的石墨烯充分轉移至目標器件上。

11.根據權利要求10所述的在目標器件上形成圖案化的石墨烯的方法，其特征在于：所述的金屬箔厚度為15μm～30μm。