[發(fā)明專利]有源層、包括其的薄膜晶體管陣列基板以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611242743.5
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN107039462B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜知延;金昌垠;白貞恩;金成真
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;譚天

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其包括：

基板；

在所述基板上的柵電極；

在所述柵電極上的柵極絕緣膜；

有源層，所述有源層位于所述柵極絕緣膜上并且包括具有塊狀形式的至少一個半導(dǎo)體材料部和具有塊狀形式的至少一個碳同素異形體部；以及

接觸所述有源層的源電極和漏電極，

其中至少一個所述半導(dǎo)體材料部接觸所述源電極和漏電極中的至少一者；以及

所述碳同素異形體部和所述半導(dǎo)體材料部形成為所述碳同素異形體部和所述半導(dǎo)體材料部在所述源電極和漏電極之間在相同平面上沿水平方向彼此交替地布置的并置結(jié)構(gòu)；

其中所述至少一個碳同素異形體部包括還原的石墨烯氧化物(rGO)、未氧化的石墨烯、碳納米管及其混合物中之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個碳同素異形體部包括多個疇。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中每一個疇通過在所述碳同素異形體部中的碳原子之間的化學(xué)鍵合形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個碳同素異形體部具有一維或二維結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述碳同素異形體部包括石墨烯納米帶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個半導(dǎo)體材料部包括陶瓷半導(dǎo)體材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料、過渡金屬硫族化合物及其混合物之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個半導(dǎo)體材料部位于溝道中。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個碳同素異形體部位于溝道中。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個半導(dǎo)體材料部位于兩個碳同素異形體部之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述至少一個碳同素異形體部位于兩個半導(dǎo)體材料部之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，包括：

其中所述有源層包括一個碳同素異形體部以及兩個半導(dǎo)體材料部，以及

其中所述一個碳同素異形體部位于所述兩個半導(dǎo)體材料部之間，

其中所述兩個半導(dǎo)體材料部中的每個接觸所述源電極和所述漏電極中的一者。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述有源層包括接觸所述源電極的一個碳同素異形體部以及接觸所述漏電極的一個半導(dǎo)體材料部。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述一個碳同素異形體部從所述源電極延伸超過所述有源層的長度的一半，以及所述一個半導(dǎo)體材料部從所述漏電極延伸所述有源層的剩余部分的長度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述有源層包括第一碳同素異形體部，第二碳同素異形體部，第一半導(dǎo)體材料部，第二半導(dǎo)體材料部以及第三半導(dǎo)體材料部，

所述第一半導(dǎo)體材料部接觸所述源電極，

所述第三半導(dǎo)體材料部接觸所述漏電極，

所述第二半導(dǎo)體材料部位于所述第一半導(dǎo)體材料部和第三半導(dǎo)體材料部之間，

所述第一碳同素異形體部位于所述第一半導(dǎo)體材料部和所述第二半導(dǎo)體材料部之間，以及

所述第二碳同素異形體部位于所述第二半導(dǎo)體材料部和所述第三半導(dǎo)體材料部之間。