[發明專利]半導體存儲器件及其弱單元檢測方法

有效

• 申請號: 201611242723.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107393595B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 金六姬
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/40
• 分類號: G11C29/40
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 毋二省;李少丹

1.一種半導體存儲器件，包括：

多個存儲塊；

多個位線感測放大器，所述位線感測放大器被所述多個存儲塊中相鄰的存儲塊共享，并且適用于：感測并放大經由位線從耦接至被激活的字線的存儲單元讀取的數據，以及經由多個分段輸入/輸出線對輸出放大數據；

字線驅動器，所述字線驅動器適用于：在測試模式期間，激活不共享所述位線感測放大器的存儲塊的字線；以及

弱單元檢測電路，所述弱單元檢測電路適用于：在所述測試模式期間，壓縮經由所述多個分段輸入/輸出線對傳輸的所述放大數據以產生壓縮數據，以及基于所述壓縮數據來檢測弱單元。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，

其中，所述多個位線感測放大器被設置在第一區域，

所述弱單元檢測電路被設置在第二區域，

所述多個存儲塊被設置在第三區域，

所述字線驅動器被設置在第四區域，以及

一對第一區域和第二區域以及一對第三區域和第四區域被交替設置在第一方向上。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述第二區域是子孔洞區域。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器件，

其中，所述弱單元檢測電路包括分別與所述多個位線感測放大器相對應的多個弱單元檢測器，以及

在所述測試模式期間，所述多個弱單元檢測器的每個弱單元檢測器壓縮來自對應的位線感測放大器經由所述多個分段輸入/輸出線對中對應的一個分段輸入/輸出線對提供的數據以產生壓縮數據，以及將所述壓縮數據傳輸到多個局部輸入/輸出線中對應的一個局部輸入/輸出線。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，所述多個弱單元檢測器的每個弱單元檢測器包括：

數據壓縮單元，所述數據壓縮單元適用于壓縮來自所述對應的位線感測放大器經由對應的分段輸入/輸出線對傳輸的所述數據以產生所述壓縮數據；以及

局部線映射單元，所述局部線映射單元在所述測試模式期間是可操作的，并且適用于將所述壓縮數據輸出到對應的局部輸入/輸出線。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器件，

其中，所述弱單元檢測電路包括多個數據壓縮單元，所述多個數據壓縮單元彼此串聯耦接并且分別與所述多個位線感測放大器相對應，以及

其中，所述弱單元檢測電路將來自所述多個數據壓縮單元中最后級的數據壓縮單元的壓縮數據輸出為最終測試結果。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，

其中，所述多個數據壓縮單元中的每個數據壓縮單元壓縮來自對應的位線感測放大器經由所述多個分段輸入/輸出線對中對應的一個分段輸入/輸出線對提供的數據以及從其它數據壓縮單元中的一個數據壓縮單元提供的壓縮數據以產生它自己的壓縮數據。

8.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中，在所述測試模式期間，與不共享所述位線感測放大器的存儲塊相對應的一個或更多個弱單元檢測電路還將它們自己的所述壓縮數據傳輸到多個局部輸入/輸出線中對應的局部輸入/輸出線。

9.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述弱單元檢測電路包括：

多個數據壓縮單元，所述多個數據壓縮單元分別與所述多個位線感測放大器相對應，每個數據壓縮單元適用于壓縮來自對應的位線感測放大器經由所述多個分段輸入/輸出線對中對應的一個分段輸入/輸出線對提供的數據以產生壓縮數據；以及

移位寄存器，所述移位寄存器適用于：同時儲存從所述多個數據壓縮單元提供的多個所述壓縮數據，以及響應于移位信號依次地輸出所述多個壓縮數據。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述多個數據壓縮單元被設置在子孔洞區域，而所述移位寄存器被設置在X-孔洞區域。