[發(fā)明專利]攝像裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611242646.6 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN107026961B | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宍戸三四郎;村上雅史;西村佳壽子 | 申請(專利權(quán))人: | 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社 |
| 主分類號: | H04N5/225 | 分類號: | H04N5/225 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍;蔣巍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 裝置 | ||
1.一種攝像裝置,具有:
半導(dǎo)體基板;
第1攝像單元,包括所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的第1光電變換部、和一端與所述第1光電變換部電連接的第1電容元件;以及
第2攝像單元,包括所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的第2光電變換部,
所述第1攝像單元和所述第2攝像單元彼此相鄰,
所述半導(dǎo)體基板在所述第1光電變換部和所述第2光電變換部之間包含溝槽分離構(gòu)造,
在俯視觀察時,所述第2光電變換部的面積大于所述第1光電變換部的面積,
所述第1電容元件在俯視觀察時至少一部分與所述溝槽分離構(gòu)造重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元還包括與所述第1光電變換部電連接的第1電荷檢測電路,
所述第2攝像單元還包括與所述第2光電變換部電連接的第2電荷檢測電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置,
所述第1電荷檢測電路包括源極及漏極中一方與所述第1光電變換部電連接的第1復(fù)位晶體管,
所述第2電荷檢測電路包括源極及漏極中一方與所述第2光電變換部電連接的第2復(fù)位晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元具有源極及漏極中一方與所述第1光電變換部電連接的第1傳輸晶體管,
所述第1電荷檢測電路包括:
第1浮動擴散體,與所述第1傳輸晶體管的所述源極及所述漏極中另一方電連接;以及
第1復(fù)位晶體管,源極及漏極中一方與所述第1浮動擴散體電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置,
所述第2攝像單元具有源極及漏極中一方與所述第2光電變換部電連接的第2傳輸晶體管,
所述第2電荷檢測電路包括:
第2浮動擴散體,與所述第2傳輸晶體管的所述源極及所述漏極中另一方電連接;以及
第2復(fù)位晶體管,源極及漏極中一方與所述第2浮動擴散體電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第2攝像單元包括:
傳輸晶體管,源極及漏極中一方與所述第2光電變換部電連接;以及
浮動擴散體,與所述傳輸晶體管的所述源極及所述漏極中另一方電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元還包括源極及漏極中一方與所述第1光電變換部電連接的第1傳輸晶體管,
所述第2攝像單元還包括源極及漏極中一方與所述第2光電變換部電連接的第2傳輸晶體管,
所述第1攝像單元及第2攝像單元包括浮動擴散體,該浮動擴散體與所述第1傳輸晶體管的所述源極及所述漏極中另一方和所述第2傳輸晶體管的所述源極及所述漏極中另一方這雙方電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元及第2攝像單元還包括源極及漏極中一方與所述浮動擴散體電連接的復(fù)位晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第2攝像單元沒有電容元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
在俯視觀察時,所述第2光電變換部的形狀與所述第1光電變換部的形狀不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元還具有位于所述第1光電變換部的光入射側(cè)的第1微透鏡,
所述第2攝像單元還具有位于所述第2光電變換部的光入射側(cè)的第2微透鏡,
所述第2微透鏡的聚光面積大于所述第1微透鏡的聚光面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,
所述第1攝像單元及第2攝像單元還包括位于所述第1光電變換部及第2光電變換部的光入射側(cè)的共用的微透鏡,
所述第2光電變換部位于所述微透鏡的光軸上。
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