[發(fā)明專利]消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611242429.7
• 申請(qǐng)日: 2016-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN106702348B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦建軍;黃小輝;周德保;康建;梁旭東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圓融光電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;黃健

1.一種消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括：

通入惰性氣體至所述MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔；

在所述惰性氣體氛圍下，對(duì)所述反應(yīng)腔依次進(jìn)行低溫烘烤、中溫烘烤和高溫烘烤；

將三甲基鋁TMAL和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)；

將三甲基鎵TMGA、雙環(huán)戊二烯鎂CP2MG和所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMGA和CP2MG反應(yīng)，得到的反應(yīng)產(chǎn)物沉積在反應(yīng)腔的內(nèi)壁；

其中，在所述低溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為30-90℃，在所述中溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為91-600℃，在所述高溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為601-1200℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低溫烘烤的時(shí)間為30-1000分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中溫烘烤的時(shí)間為30-1000分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫烘烤的時(shí)間為30-1000分鐘；其中，所述反應(yīng)腔的溫度大于1000℃的時(shí)間大于30分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將三甲基鋁TMAL和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)，包括：

將所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，所述混合氣體包括氮?dú)狻錃夂桶睔猓獨(dú)狻錃夂桶睔獾牧髁勘壤秊?5:42:150；

以30-300ml/min的流量將所述TMAL通入所述反應(yīng)腔；

其中，所述反應(yīng)腔的溫度為900-1200℃，反應(yīng)時(shí)間為30-90分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將三甲基鎵TMGA和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物沉積，包括：

將所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，所述混合氣體包括氮?dú)狻錃夂桶睔猓獨(dú)狻錃夂桶睔獾牧髁勘壤秊?5:42:150；

以100-600ml/min的流量將所述TMGA通入所述反應(yīng)腔；

以100-1000ml/min的流量將所述CP2MG通入所述反應(yīng)腔；

其中，所述反應(yīng)腔的溫度為大于1000℃，反應(yīng)時(shí)間為30-120分鐘。