[發(fā)明專利]鰭式場效晶體管及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611242159.X
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN108257870A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙猛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種鰭式場效晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成鰭部和柵極結(jié)構(gòu)，所述鰭部成條狀，所述柵極結(jié)構(gòu)部分地橫跨所述鰭部，所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)暴露出部分鰭部；

刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)的至少其中之一暴露出的所述部分鰭部；

對經(jīng)過刻蝕之后暴露出的所述鰭部的側(cè)壁進(jìn)行離子注入，以形成摻雜區(qū)；以及

形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)，所述源極結(jié)構(gòu)和所述漏極結(jié)構(gòu)分別位于所述鰭部的兩側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入注入的離子類型與所述鰭式場效晶體管的類型相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述鰭式場效晶體管為N型，所述離子注入注入的所述離子類型包括砷或者磷，所述離子注入的注入角度為5度～15度，注入深度為3nm～12nm，注入能量為1KeV～6KeV，注入劑量為5e13～1e15。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述鰭式場效晶體管為P型，所述離子注入注入的所述離子類型包括硼、氟化硼或者銦，所述離子注入的注入角度為5度～15度，注入深度為3nm～12nm，注入能量為1KeV～6KeV，注入劑量為5e13～1e15。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在刻蝕所述部分鰭部之前，還包括：對所述鰭部進(jìn)行袋狀離子注入和低摻雜注入，以形成低摻雜區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述袋狀離子注入注入的離子類型與所述離子注入注入的離子類型相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述袋狀離子注入的注入角度為15度～35度，注入深度為10nm～30nm，注入能量為5KeV～15KeV，注入劑量為1e13～1e14。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成鰭部和柵極結(jié)構(gòu)包括：

形成鰭部，所述鰭部成條狀；以及

形成部分地橫跨所述鰭部的依次堆疊的柵介質(zhì)層和柵電極層、以及位于所述依次堆疊的柵介質(zhì)層和柵電極層外側(cè)的側(cè)墻，其中，所述依次堆疊的柵介質(zhì)層和柵電極層以及所述側(cè)墻構(gòu)成所述柵極結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)的至少其中之一暴露出的所述部分鰭部包括：刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)暴露出的所述部分鰭部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)的至少其中之一暴露出的所述部分鰭部包括：

在所述柵極結(jié)構(gòu)上以及所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)的其中一側(cè)暴露出的所述部分鰭部上形成掩模層；以及

刻蝕去除所述柵極結(jié)構(gòu)的所述兩側(cè)的另一側(cè)暴露出的所述部分鰭部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述離子注入之后，還包括退火工藝。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述退火工藝為尖峰退火，所述尖峰退火的溫度范圍為900攝氏度～1030攝氏度，溫度上升速率為250攝氏度每秒～300攝氏度每秒，溫度下降速率為250攝氏度每秒～300攝氏度每秒。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述退火工藝為激光退火，所述激光退火的溫度范圍為1200攝氏度～1300攝氏度，退火時間為10毫秒～60毫秒。