[發明專利]開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體在審
| 申請號: | 201611241821.X | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106782998A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 李毅;胡洋;王秋良;朱旭晨 | 申請(專利權)人: | 中國科學院電工研究所 |
| 主分類號: | H01F6/06 | 分類號: | H01F6/06;G01R33/3815 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責任公司11251 | 代理人: | 關玲 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開放式 屏蔽 磁共振 成像 超導 磁體 | ||
1.一種開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的超導磁體由四對超導線圈組成,四對超導線圈沿z坐標上下布置,關于中心對稱;所述的四對線圈包括一對平面指紋勻場線圈組(1),一對第一主磁場線圈(2),一對第二主磁場線圈(3)和一對屏蔽線圈(4);平面指紋勻場線圈組(1)布置在離中心點最近處,向外依次布置第一主磁場線圈(2)、第二主磁場線圈(3),屏蔽線圈(4)布置在最外層;第一主磁場線圈一(2)、第二主磁場線圈(3)通正向電流,提供主磁場強度;屏蔽線圈(4)通反向電流,產生與主磁場相反的磁場,以消除磁體對外部空間的雜散磁場;平面指紋勻場線圈組(1)對中心區域的磁場進行補償,以提高磁體在球形區域的磁場均勻度;四對超導線圈置于同一低溫杜瓦中。
2.按照權利要求1所述的開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的平面指紋勻場線圈組(1)包含15組有源勻場線圈,分別為:軸向一階線圈Z1、軸向二階線圈Z2、軸向三階線圈Z3,兩組徑向一階線圈X、Y,四組徑向二階線圈ZX、ZY、X2-Y2、XY,六組徑向三階線圈Z2X、Z2Y、Z(X2-Y2)、ZXY、X3、Y3;所述的平面指紋勻場線圈組(1)的所有各階線圈采用層層疊放的形式置于對稱空間位置中。
3.按照權利要求1所述的開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體,其特征在于,根據所述的第一主磁場線圈(2)、第二主磁場線圈(3)與屏蔽線圈(4)的空間幾何位置、尺寸大小及中心區域的磁場強度,確定平面指紋勻場線圈組(1)的各階勻場線圈的勻場強度、超導線規格以及電流大小。
4.按照權利要求1所述的開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的開放式自屏蔽磁共振成像超導磁體最外直徑小于1.4米,上下極最小間距大于0.5米,最大間距大于0.75米,具有最大間距的區域直徑大于1.1米。
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