[發(fā)明專利]覆蓋層、包括所述覆蓋層的OLED顯示面板和電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611241763.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106654049B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王湘成;任泓揚(yáng);何為;濱田;牛晶華;柳晨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟;侯桂麗 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 覆蓋層 包括 oled 顯示 面板 電子設(shè)備 | ||
1.一種設(shè)置于OLED顯示面板陰極之上的覆蓋層,其特征在于,所述覆蓋層的材料包括具有式(I)結(jié)構(gòu)的含N化合物:
式(I)中,n為大于等于2的整數(shù);
B為不存在,或選自具有至少2個(gè)斷鍵的取代或未取代的C5~C10的環(huán)烷基、取代或未取代的C6~C30的芳香基中的任意一種;
當(dāng)B不存在時(shí),n為2;
A1、A2均各自獨(dú)立地選自氫原子、氘原子、取代或未取代的C1~C6的鏈狀烷基、取代或未取代的C2~C6的鏈狀烯烴基、取代或未取代的C5~C10的環(huán)烷基、取代或未取代的C6~C30的芳香基、取代或未取代的C2~C30雜環(huán)芳香基或中的任意一種,且A1、A2中至少有一個(gè)選自X5選自氧原子或硫原子;Ar選自鍵接于五元環(huán)碳碳雙鍵的取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一種。
2.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,n為大于等于2的偶數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,B為不存在或取代或未取代的C6~C30的芳香基中的任意一種。
4.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,A1、A2中至少有一個(gè)選自中的任意1種。
5.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,所述化合物為
6.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,所述覆蓋層的折射率n需要滿足如下條件:
450~650nm波長(zhǎng)之間的折射率n450~650nm>1.75,且450~650nm波長(zhǎng)之間的消光系數(shù)在0.1以下;
450nm的折射率和530nm的折射率之差n450nm-n530nm<0.2;
510nm的折射率和620nm的折射率之差n510nm-n620nm<0.1。
7.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,所述覆蓋層的厚度為40~100nm。
8.如權(quán)利要求1所述的覆蓋層,其特征在于,所述覆蓋層形成于所述OLED顯示面板的半透明陰極遠(yuǎn)離基板一側(cè)之后,能夠使覆蓋層和半透明陰極形成的疊層對(duì)450~650nm之間的光透過(guò)率≥65%。
9.如權(quán)利要求8所述的覆蓋層,其特征在于,所述半透明陰極材料選自金屬銀、鎂銀合金、銀鐿合金中的任意1種或至少2種,且所述半透明陰極材料中銀元素的含量大于80wt%。
10.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括依次層疊的基板、陽(yáng)極、有機(jī)疊層、陰極和覆蓋層,所述陰極為半透明陰極;
所述覆蓋層為權(quán)利要求1~9之一所述的覆蓋層。
11.如權(quán)利要求10所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)疊層至少包括發(fā)光層,所述發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光顏色像素區(qū)域、綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域、紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域中的任意1種或至少2種的組合。
12.如權(quán)利要求11所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域和紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域采用磷光材料;
所述藍(lán)色發(fā)光顏色像素區(qū)域采用熒光材料。
13.如權(quán)利要求11所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)疊層還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的任意1種或至少2種的組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





