[發(fā)明專利]前照式圖像傳感器的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611240933.3
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106847847B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐澤;趙立新
• 申請（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種前照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于：

形成位于器件層表面的介質(zhì)層以及位于所述介質(zhì)層內(nèi)的多層金屬層；所述多層金屬層包括頂層金屬層、中間層金屬層和底層金屬層；

對應(yīng)于感光區(qū)域形成頂層輔助金屬層和中間層輔助金屬層；其中，頂層輔助金屬層位于頂層金屬層；中間輔助金屬層位于中間層金屬層；所述頂層輔助金屬層為一整體區(qū)域，對應(yīng)覆蓋于所述感光區(qū)域上部；所述中間輔助金屬層為多個(gè)間隔的區(qū)域，分別對應(yīng)于像素單元的光電二極管區(qū)域；所述感光區(qū)域包括多個(gè)像素單元的光電二極管區(qū)域；

刻蝕位于感光區(qū)域的所述介質(zhì)層至暴露出所述頂層輔助金屬層，所述頂層輔助金屬層作為第一停止層；

去除所述頂層輔助金屬層，所述頂層輔助金屬層下部的介質(zhì)層作為停止層；

在去除所述頂層輔助金屬層后的第一凹槽區(qū)域中，刻蝕所述介質(zhì)層至暴露出所述中間輔助金屬層的表面，所述中間輔助金屬層作為第二停止層；

去除所述中間輔助金屬層,形成第二凹槽區(qū)域；

對所述第一凹槽區(qū)域、所述第二凹槽區(qū)域、以及所述去除介質(zhì)層的區(qū)域進(jìn)行填充；所述填充區(qū)域的折射率低于感光區(qū)域以外的所述介質(zhì)層的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，刻蝕位于感光區(qū)域的介質(zhì)層暴露出所述頂層輔助金屬層的窗口大于所述頂層輔助金屬層的范圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的刻蝕精度誤差為5納米至200納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為二氧化硅層、氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材質(zhì)為鋁、銅、鎢。