[發(fā)明專利]用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611240234.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106783663B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程煒濤;許生根;王海軍;葉甜春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;劉海 |
| 地址: | 214135 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 快速 評(píng)估 恢復(fù) 二極管 性能 基座 | ||
1.一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座,其特征是:包括耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架(3),在耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架(3)中嵌入一個(gè)陽(yáng)極金屬引線框架(1)和陰極金屬引線框架(2),陽(yáng)極金屬引線框架(1)在陰極金屬引線框架(2)左側(cè),陽(yáng)極金屬引線框架(1)和陰極金屬引線框架(2)之間保持一定的距離;所述陽(yáng)極金屬引線框架(1)的部分表面、陰極金屬引線框架(2)的部分表面以及耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架(3)的部分表面在同一平面上,該平面為二極管芯片的貼片平面;所述陽(yáng)極金屬引線框架(1)和陰極金屬引線框架(2)各有部分露出于耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架(3)之外,分別形成陽(yáng)極管腳和陰極管腳,陽(yáng)極管腳和陰極管腳相互平行,陽(yáng)極管腳和陰極管腳所形成的平行平面與貼片平面平行。
2.如權(quán)利要求1所述的用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座,其特征是:所述貼片平面上的陰極金屬引線框架(2)的部分表面的面積大于所需評(píng)估的二極管芯片的面積。
3.如權(quán)利要求1所述的用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座,其特征是:所述陽(yáng)極管腳和陰極管腳的長(zhǎng)度相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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