[發明專利]高梯度表面微帶絕緣子及其制備方法有效
| 申請號： | 201611238475.X | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN106782932B | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 霍艷坤;劉文元;柯昌鳳;陳昌華;孫鈞;湯俊萍;李琳 | 申請（專利權）人： | 西北核技術研究所 |
| 主分類號： | H01B17/02 | 分類號： | H01B17/02;H01B19/04;H01B19/02 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710024 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 梯度 表面 微帶 絕緣子 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高梯度表面微帶絕緣子的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：
[1]按照設計的絕緣子外形尺寸加工出絕緣子本體；
[2]在絕緣子本體表面雕刻出周期性微槽陣列；
[3]配制PdCl2/PVP/乙醇或AgNO3/PVP/乙醇膠液，對刻槽后的絕緣子本體進行浸漬或涂覆后自然晾干；
[4]采用激光誘導活化的方法在微槽表面上形成金屬顆粒；
[5]采用化學鍍的方法在微槽中原位生長出金屬微帶。
2.根據權利要求1所述的高梯度表面微帶絕緣子的制備方法，其特征在于：所述周期性微槽陣列微槽的寬度為0.01～5mm，深度為0.01～10mm，微槽間距為0.02微米～10mm。
3.根據權利要求2所述的高梯度表面微帶絕緣子的制備方法，其特征在于：所述周期性微槽陣列微槽的寬度為0.03～1mm；深度為0.01～1mm；微槽間距為0.05～1mm。
4.根據權利要求1或2或3所述的高梯度表面微帶絕緣子的制備方法，其特征在于：所述絕緣子本體的基體材料為尼龍、有機玻璃、交聯聚苯乙烯、聚酰亞胺，環氧樹脂或氧化鋁陶瓷。
5.根據權利要求4所述的高梯度表面微帶絕緣子的制備方法，其特征在于：所述激光誘導活化使用的激光器為準分子激光器、光纖激光器或二氧化碳激光器。
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