[發明專利]一種紫外探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 201611237294.5 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106784061B | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 劉可為;王瀟;陳星;李炳輝;張振中;申德振 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/102;H01L31/108;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紫外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種紫外探測器,所述紫外探測器的制備方法,包括以下步驟:
利用等離子體增強分子束外延技術,采用c面藍寶石襯底,控制襯底溫度為950℃,鋅源溫度為500℃,氧化流量為1sccm,射頻功率為250W,獲得厚度為600nm的ZnO薄膜;
利用離子濺射設備,通過控制濺射電流為2mA和濺射時間為7min制備Ag納米薄膜,然后在氮氣氣氛下退火30min,退火溫度為450℃,得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜;
將所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜通過勻膠前烘、曝光、中烘、顯影、去離子水反復清洗、氮氣吹干、堅膜,形成電極區域;在所述電極區域濺射Au電極層,濺射電流為4mA,濺射時間10min,形成厚度為40nm、長度為5mm、寬度為1mm、距離為2mm的兩個條形Au電極;采用丙酮作為剝離液超聲剝離15min,然后去離子水沖洗,氮氣吹干,制備得到紫外探測器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





