[發明專利]一種太陽能電池及其電池背拋光工藝

在審

• 申請號: 201611236793.2
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106653948A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 李璐;孫杰;高楊;羅小剛;高慧慧;杜靈
• 申請（專利權）人: 江西瑞晶太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02;H01L21/306;H01L31/042
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，其包括：

將硅片于15～35℃的刻蝕液中浸泡100～150s進行刻蝕處理，所述刻蝕液由質量分數為65～68％的HNO₃和質量分數為48～49％的HF按照體積比5～5.5：1混合而成；以及將刻蝕處理后的硅片置于20～30℃的堿液和/或酸液中進行清洗70～100s，再用水清洗處理后的所述硅片。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述刻蝕液中所述HNO₃的含量為43～45wt％，所述刻蝕液中所述HF的含量為8～9wt％。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述刻蝕液中還含有H₂SO₄，所述H₂SO₄與所述HNO₃的體積比為0.3～0.5：1。

4.根據權利要求2所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，進行刻蝕處理時，所述刻蝕液放置在刻蝕槽中，所述刻蝕槽的總體積為360～400L，所述刻蝕槽的長度為2～2.4m。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述硅片以0.95～1.05m/min的速度通過所述刻蝕槽。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述硅片在經過刻蝕處理后，先將所述硅片置于20～30℃的堿液中浸泡20～25s，將浸泡后的所述硅片用水漂洗后，再將所述硅片置于15～30℃的酸液中浸泡70～100s，再用所述水漂洗所述硅片。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述堿液中的堿為NaOH或KOH，所述堿的含量為5～6wt％。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述酸液中的酸為HF或HNO₃，所述酸的含量為8～10wt％。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池背拋光工藝，其特征在于，所述堿液放置于堿槽中，所述酸液放置于酸槽中，所述堿槽的長度為0.3～0.5m，酸槽的長度為1.5～1.8m，所述硅片在經過刻蝕處理后，以1.1～1.2m/min的速度通過所述堿槽或酸槽。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的電池背采用權利要求1～9任一項所述的太陽能電池背拋光工藝加工得到。