[發明專利]具有高極化隔離度的雙極化陣列天線

有效

• 申請號: 201611236338.2
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106816698B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 唐明春;陳志遠;王浩;李梅;羅兵;石中立;理查德·齊奧爾科夫斯基
• 申請（專利權）人: 重慶大學;華為技術有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/24
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：包括兩輻射貼片(1)、設置于兩輻射貼片之間的π形互耦抑制結構(2)、寄生耦合的地板(4)和接地容性加載環(5)，所述接地容性加載環(5)垂直的設置于寄生耦合的地板(4)上，所述π形互耦抑制結構(2)與接地容性加載環(5)相互垂直設置；

該陣列天線還包括由上至下設置的上層介質基板、多層印刷電路板(7)和下層金屬載板，所述上層介質基板和多層印刷電路板間形成空氣層(3)，接地容性加載環(5)位于空氣層(3)內；兩輻射貼片(1)設置于上層介質基板上，π形互耦抑制結構(2)垂直的設置于上層介質基板上；所述寄生耦合的地板(4)設置于多層印刷電路板的上層介質板上表面，寄生耦合的地板通過金屬柱與多層印刷電路板的下層地板連接，下層地板位于多層印刷電路板的下層介質板的下表面；接地容性加載環(5)垂直的設置于寄生耦合的地板(4)上；所述寄生耦合的地板上還設置有位于接地容性加載環(5)兩側的溝槽結構。

2.根據權利要求1所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述π形互耦抑制結構(2)包括多個平行設置的π形互耦抑制單元，所述接地容性加載環(5)包括多個平行設置的接地容性加載環單元，所述π形互耦抑制單元與接地容性加載環單元垂直放置。

3.根據權利要求2所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述π形互耦抑制單元包括第一介質基板(21)和對稱設置于第一介質基板兩側的第一枝節與第二枝節，所述第一枝節包括沿第一介質基板上邊緣設置的枝節I(22)、垂直于枝節I且由枝節I向第一介質基板下邊緣延伸的枝節II(23)、垂直于枝節II且由枝節II向第一介質基板左邊緣延伸的枝節III(24)、垂直于枝節I且由枝節I向第一介質基板上邊緣延伸的枝節IV(25)和垂直于枝節IV且由枝節IV向第一介質基板右邊緣延伸的枝節V(26)。

4.根據權利要求3所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述枝節II(23)與所述枝節IV(25)關于第一枝節的縱向中軸線對稱，所述枝節III(24)與枝節V(26)關于第一枝節的縱向中軸線對稱。

5.根據權利要求3所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述接地容性加載環單元包括第二介質基板(51)和設置于第二介質基板上的第三枝節，所述第三枝節的左側中部設置有裂口(52)，所述第三枝節的上側中部向下彎折形成第一彎折部(53)，所述第三枝節的下側中部向上彎折形成第二彎折部(54)，所述第一彎折部與第二彎折部之間具有一定間隙；所述裂口的上端向右水平延伸形成枝節A(55)，所述裂口的下端向右水平延伸形成枝節B(56)。

6.根據權利要求5所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述裂口的寬度大于第一彎折部(53)與第二彎折部(54)之間的距離。

7.根據權利要求5所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述第一介質基板具有延伸部，所述延伸部由第一介質基板向下延伸至空氣層；所述延伸部上設置有多個用于接合第二介質基板的第一溝槽(27)，所述第一溝槽由延伸部下邊緣向上邊緣延伸。

8.根據權利要求7所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述第二介質基板上設置有第二溝槽，所述第二溝槽由第二介質基板的上邊沿向中間延伸。

9.根據權利要求1所述的具有高極化隔離度的雙極化陣列天線，其特征在于：所述多層印刷電路板上層介質板與下層介質板通過半固化片粘結組合而成；上下兩介質板之間設置有微帶饋線(6)，所述微帶饋線通過穿過下層金屬載板的SMP連接器內芯進行饋電。